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Electrónica física
N
p
f
f o
--- - --." EF
f,
~-- Eo
- - --- ----
D(E)
f f
p,
p,
f(E) dn,dp
Figura 11.25. Variación de los diagramas de energla E. densidad de estados D(E), lunci6n de distribuciónf(Ej
V densidad de electrones " 0y huecos Po-
nización de las impurezas, con una energía de
activación (fe - ED ) . Si la energía necesaria para
formar un electrón es ésta, ello indicaría que el
nivel de Fermi Er estaría muy cerca del mínimo
de la banda de conducción Ee. ya que, como
indicamos anteriormente, la distancia entre Er y
f e es proporcional al número de electrones.
A una temperatura lo suficientemente alta
es factible la transición de electrones de la banda
de valencia a la de conducción. Incluso a una
temperatura determinada, puede suceder que
n, > N D Yentonces no sea igual a POI por lo que Er
estaría al centro de la banda prohibida.
La región de ionización de impurezas se ex–
tiende hasta la temperatura de saturación r.. Esta
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temperatura se puede calcular suponiendo que
en ella la cantidad de electrones es casi igual a la
cantidad de impurezas donadoras.
(11.32)
La región de conductividad intrínseca se ob–
tiene para temperaturas más altas que T¡ y puede
definirse de una manera similar a la anterior:
T,
E,
{
NON,)
kl -–N'o
(11.33)