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El lugar que marca la punta de una de las flechas indica que existe un hueco, cuya carga eléctrica se
considera positiva e intrínseca del silicio.
Figura 1.3. La ruptura de un enlace covalenle produce un electrón y un hueco.
En la figura 1.3 se observa que, al saltar el intervalo que hay entre la banda de valencia y la de
conducción, se rompió el enlace covalente y en la región de donde provino el electrón quedó un
hueco. Dicho hueco atraerá a un electrón de enlace covalente inmediato, el cual dejará también
un hueco en su posición anterior, por lo que un tercer electrón llenará el hueco dejado por el segundo
electrón, y así sucesivamente. Observe que los electrones se desplazan en la banda de conducción y
los huecos en la banda de valencia. Al aplicar un campo eléctrico, los huecos son atraídos hacia la
terminal negativa, mientras que los electrones se irán hacia la terminal positiva.
La conducción que implica la generación de huecos-electrones se llama conducción intrínseca.
Este tipo de conducción no es deseable, por tener los dos tipos de carga eléctrica (huecos-positivos,
electrones-negativos). Por otra parte, los huecos no circulan por el circuito exterior sino sólo por el
interior del elemento. La conductividad del silicio aumenta proporcionalmente con el número de
portadores de corriente.
1.5. ELEMENTOS CONTAMINADOS
En la sección anterior se vio que no es conveniente manejar cantidades iguales de huecos y de
electrones, sino que se deben usar unos u otros. La forma para lograr lo anterior consiste en mezclar
entre sí los siguientes elementos químicos:
Trivalente Tetravalente Pentavalente
Boro Germanio Antimonio
Galio Silicio Arsénico
Indio Fósforo
Al agregarle al germanio o al silicio diminutas cantidades de un elemento trivalente como el
boro, se formará el elemento impuro aceptar tipo P, rico en huecos, es decir, que tiene abundancia
de cargas positivas. En la figura 1.4 se muestra que, para cada hueco que aparece en cada uno de los
átomos trivalentes, habrá un electrón que lo ocupe.
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