y
Electrónica
lJ
El voltaje en la base del transistor, a circuito abierto es:
VBB
=
Ic
Q
(RB/j3
+
RE)
+
V EB
=
36.36
~A(7. 1
kíl/100
+
0.7)
=
15.28
V
Los valores de
R¡
y
R
2 10s
obtenemos por las ecuaciones:
RBVCC
7.1 kíl· 18
R¡=--=
8.36kn
V
BB
15.28
La máxima excursión del voltaje de salida es:
7.1 kíl' 18
47kn
18 - 15.28
V
o
=
2 .
IC
Q
(RE
11
RLl
=
2 . 36.36 mA . 0.165 kíl
=
12
V
p-p
La impedancia de entrada del transistor, así como la del circuito total, se determinan por:
R'
=
100(0.71
+
0.165) íl
=
16.57 kíl
RB • j3(RE
11
R
L )
RB
+
j3(RE
11
RL)
7.1 . 100 ' 0.165
4.96kíl
7.1
+
100·0.165
L
. d
.
Id' 1 1" d
A R
B
7.1
5
a ganancia e cornente a etermmamos por a re aClOn e
i;:
R
L
=
0.33
=
21. , ya que
R
B
<
¡3(R
E
11
RL)'
Puesto que la configuración es 5-E, la ganancia de voltaje resulta:
Para la impedancia de salida del circuito total tenemos:
•
166
1...,157,158,159,160,161,162,163,164,165,166 168,169,170,171,172,173,174,175,176,177,...259