Electrónica 11
• La variación del ancho de la región vacía con la temperatura. Ésta es causada por la variación
de la anchura de la barrera de potencial que reduce a: V
B -
V, por la aplicación del voltaje V, donde
V
B
es el ancho de la barrera de potencial a cero voltios o de equilibrio. El coeficiente de temperatura
a este voltaje es de unos - 2.2 mV
1°C,
lo que hace que la
lo
aumente, si la temperatura aumenta.
• El otro factor es la variación del movimiento de los portadores mayoritarios con la tempera–
tura. Dicho movimiento influye en la conductancia mutua
(g,.,)
y, a medida que la temperatura
aumenta, el movimiento de los portadores, así como
gil"
disminuyen y tienden a compensar la
variación del ancho de la barrera de potencial (V
B)
con la temperatura.
El coeficiente de temperatura causado por las variaciones del movimiento de los portadores
mayoritarios es de 0.7°C.
Entonces, para que exista un coeficiente adecuado de temperatura igual a cero, éste debe ser:
0.007(- ID)
g.,(-
0.002205)
lO
-=0.315
VGS
oc
oc
Por sustitución de las ecuaciones anteriores:
[
VGsJ2
Ioss
l-V;
[
VGS)
0.315; -
VI'
1 - V
p
= 2 . 0.315
El corrimiento térmico es cero, si el
FET
se polariza unos 0.63 V por encima del voltaje de corte
(V
p ),
es decir, a la derecha del punto de corte
V
p .
Un procedimiento razonable para la localización del valor del punto de operación Q cerca del
centro de la línea de carga es el siguiente:
Selecciónese:
a)
I DQ
=
Ioss/2
y, de la curva, V
GSQ
=
0.3
V
p ;
b)
V
DSQ
=
VDoI2.
Sustituyendo estos valores en la ecuación de la
g,.,
obtenemos la conductancia en el punto
Q
de
la pendiente sobre la curva. Entonces la conductancia está dada por:
IDSS
g",= I.41VT
p
IlI.8.3.
Polarizacióll fija del
FET
Si ahora se coloca una fuente de voltaje
VGS
tal y como se muestra en la figura 111.59, podremos
obtener la
ID
deseada, ya que la parte del transisl\:)r compuerta-fuente queda polarizada inversa–
mente. La pequeña corriente que circula por RG y por la terminal de la compuerta viene siendo la
corriente de saturación de la unión polarizada inversamente; ésta se desprecia, ya que es del orden
de un nanoamperio (lllA), es decir, no le llega corriente alguna a la compuerta porque está
polarizada inversamente la parte del transistor compuerta-fuente:
194
1...,185,186,187,188,189,190,191,192,193,194 196,197,198,199,200,201,202,203,204,205,...259