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Dispositivos amplificadores
Desde luego que no hay necesidad de trazar la curva de transferencia, con tal de que se tabule
y se ajuste al valor de Rs.
De la malla de salida del circuito tenernos:
VDSQ = VDD- IDQ(RD + Rs) = 24 V- 2.13(3.9 + 1) = 13.56 V
IlI.8.s. Análisis del FET con polarización simple a pequefia serial
Para desarrollar el análisis del FET a pequeña señal es necesario recurrir a los circuitos de la figura
IlI.61. En éstos se puede observar que a c-a se cortocircuita VDD y RD con RL se va a tierra, pues los
capacitores se cortocircuitan a frecuencias medias. Lo mismo sucede con Cs, aquí Vgs =Vino
Vg =ov
+Voo
lo
Ro ~ Co
Ce I pI--rV_C
V, Re Rs es
V,.
G ijn~+
s
Figura 111.61. El FET, su circuito equivalente a e-a y su circuito simplificado.
La configuración de mayor utilidad es la representada en la figura IlI.61, ya que trata sobre los
parámetros "Y", en los que, a frecuencias bajas, las capacitancias de la región vacía pueden
despreciarse y las admitancias (parámetros "Y") se vuelven conductancias, éstas son:
Conductancia de entrada de compuerta (gg)
La conductancia gg del FET equivale en el BJT a decir impedancia de entrada Zi" o hi, .
t.ic I
g- -
S - t.vcs
Vos = Cte.
La gg es muy pequeña (de unos 1O- 9mhos); esto es porque ic es del orden de nanoamperios.
La gg es casi cero, por lo que se desprecia, y no aparece en el circuito equivalente.
Conductancia mutua (g", o Y/dI
Esta conductancia queda relacionada por:
t.iD I
gm;: 6
Vgs vos = cte.
1
'5;::–gOl
La conductancia mutua es la pendiente de la curva de transferencia en el punto Q deseado
(segundo cuadrante) y "equivale" a hablar de la ~ en los transistores BIT (véase la figura I11.61b).
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