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Electrónica II
En cada caso, Rs es diferente de Rs por la parte polarizada con el Cs.
c-d
e-a
• Se determina
V
GG, así como:
• Si RS'-<I es mayor que
Rs,~,
el diseño se da por concluido con Cs en paralelo con
Rs,.
• Si
Rs,""
es menor que
Rs,~
hay que buscar un nuevo punto de trabajo
Q.
Esto se logra con un
VvsQpequeño
que cause un incremento de voltaje a través de Rs
=
R s ,
+
Rs"
el cual da una
Rs grande.
N
• Si el
VvSQ
no se puede reducir lo suficiente para que
Rs,""
sea más grande que
Rs,~,
el
amplificador no podrá ser diseñado para una determinada ganancia de corriente, ni con la
2in
o con el tipo de
FET
que se esté usando.
Impedancia de entrada:
La impedancia de salida es:
1
zo=Rs ll–
glll
Ejemplo 111.52
Diseñemos un amplificador con
FET
de seguidor por fuente usando e12N5486, cuyas características
son
Ivss=
18 mA,
V
p
= -
6 V
Y
cuyos valores de circuito son
Vvv=
12 V,
Vg
=
40 mV,
Rg
=
1
kn
y
RL
=
12
kn.
El circuito es igual al de la figura 111.66. Obtenga:
Rs, RG,
g""
Vi",
Av,
VD,
Ai, 2i" Y
20.
Solución
Puesto que se da el valor del voltaje de corte
V
p,
se puede proponer el punto de operación
Q(V
GS; Iv)
en la curva de transferencia y por ende Rs, esto es,
V
GS debe ser aproximadamente la mitad de
V
p.
214
Sea
VGs =-3.85
V e
Iv=
1.76 mA, entonces:
-VGS
3.85 V
Rs =--=
2.18kQ=2.2kQ
ID
1.76
mA
Por los ejemplos antes vistos, RGpuede ser de 1
Mn.
La conductancia mutua es:
_ 2IDss(l-
VGs/V
p)
2·18 mA(I-3.85
/ 6)
2.15mS
g",
-
1
V
1
=
1- 61 V
P
De la figura III.66b obtenemos el
Vi,, :
V .
_
R
G ·
v
g
111-
R
+R
g
G
1 · 40 mV
1+1000
40~V
