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Diodo de unión
Por otra parte, existe una relación entre la resistencia dinámica (incremental o c-a) del diodo
polarizado directamente y su corriente estática.
La conductancia dinámica del diodo es:
III dI
IlV = dV kTl q
La recíproca de (I1.8) es la resistencia directa (,¡) a c-a del diodo.
(11.8)
Si, por ejemplo, V (voltaje al que está sometido el diodo) es unas cinco veces mayor que kT/ q
(0.13 voltios), la ecuación (I1.7) se reduce a:
1;;;; 15 . e (k~q)
Sustituyendo la ecuación (I1.8) en la (I1.9), nos queda:
kTl q
r¡= 1
(11.9)
(U.lO)
A temperatura de 27°C, kT/ q =26 mV, vemos que un diodo con una 1 =1 mA presentará una
,¡= 26 n y con una 1= 10 mA, ,¡= 2.6 n y, cuanto mayor sea la corriente, más pequeña será su
resistencia dinámica.
El lector deberá recordar que la ecuación (Il.10) se utilizará para determinar la impedancia de
entrada en las diferentes configuraciones del transistor, el cual se verá más adelante.
I1.5. POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO
Si al diodo de la figura II.4b lo dejamos igual e invertimos solamente la batería V, obtenemos la
figura I1.5:
P --+f-- N + huecos
r' h -ele tones cr
D
P N GJ
+ + + :::::::: '" -
- + + + ~ '" - - - -
+ + + :::::::: '" - - -
+ + + :::::::: '" - - -
,
- +
v
a) b)
p. i.
J
(mA)
'{).l
e)
mA
Figura 11.5. a) y b) Polarización inversa. e) Caracler(stica completa del diodo.
p. d.
Para el caso de la polarización inversa (p.i.) del diodo, la placa negativa de V está conectada al
ánodo y la placa positiva de V, al cátodo. Incrementar el voltaje en forma negativa hace que el campo
a través del cristal sea tal, que la barrera del diodo se "vuelve" más ancha, impidiendo que los
portadores crucen la unión; y cuanto más negativo sea V, más "aumenta" la anchura de la región.
Cuando V = O, 1 = O, pues Ir = Ig.
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