Electrónica 11
IIl.2. CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
E(N)
B(P)
C(N)
E(P)
B(N)
C(P)
i
1,
-
+ + + + +
- -
-
1
he
.--
- - - - -
+ + + + +
~-
- -
-
- - -
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e
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-
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he
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+
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Re
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"
-
1,
<
f·
Re~
+',-
+"1
,.
-
,1
Vcc
Vcc
a)
b)
Figura 111.1. a) Transistor
NPN. b)
Transistor
PNP.
Funcionamiento
El alumno deberá recordar que, para cualquier tipo de transistor el diodo de emisor
DE
(formado
por la unión de la base con el emisor) siempre debe quedar polarizado directamente, y el diodo de
colector
De
(formado por la unión de la base con el colector), polarizado inversamente.
RE
es un resistor limitador de corriente del diodo de emisor, cuya impedancia vista hacia el
diodo es bastante baja y la caída de potencial a través de él de
0.2
o
0.7
voltios según el transistor
(Ge o
Si).
Transistor
NPN
Al referirnos a la figura m.la, y variando lentamente
V EE,
empezará una corriente de recombinación
que circulará a través de la unión de
DE.
La corriente de emisor
Ir
está formada por los electrones (portadores mayoritarios) de la región
de emisor que cruzan hacia la base, y por los huecos (portadores mayoritarios) de la base, que cruzan
hacia el emisor. Esta corriente se debe a que la placa negativa de
V
EE
repele los electrones del emisor,
cruzando la unión del
DE,
y la placa positiva de la misma fuente repele los huecos existentes en la
base, obligándolos a desplazarse hacia el emisor. A medida que se incremente la diferencia de
potencial en
V
EE
la recombinación será mayor. Por esto el emisor proporciona a la base más
electrones que los huecos que proporciona la base al emisor, es decir: la corriente de electrones a
través de la unión de emisor será mucho mayor que la corriente de huecos. Además, por cada
electrón que es capturado por un hueco en la base, sale otro por el conductor de la base
(lB).
Asimismo, cada hueco de la base que pasa al emisor deja una carga negativa en exceso en la base,
impulsando a un electrón a salir por esta
lB'
Lo anterior constituye la mayoría de
Ir.
La
mayoría
de los electrones inyectados desde el emisor a la base se difunden por ella y son capturados por el
colector (de ahí el nombre de esta terminal del transistor). Esto se debe a que el borne positivo de
V
ce atrae a los electrones que existen en el colector.
Recuerde que se requiere una diferencia de potencial pequeña (décimas de voltios) en el diodo
de emisor para que éste conduzca, de ahí que los electrones que llegan a la base pasen y se
incrementen con los portadores mayoritarios (electrones) de la región del colector, haciendo con esto
que el transistor conduzca y se someta a la diferencia de potencial
V
ce, que es mucho mayor que
la
V
EE.
He aquí por qué amplifica el transistor.
La explicación para el funcionamiento del transistor
PNP
es semejante a la anterior.
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1...,63,64,65,66,67,68,69,70,71,72 74,75,76,77,78,79,80,81,82,83,...259