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Dispositivos amplificadores
En el punto Bel transistor está al corte.
En C, el transistor opera en clase A (amplificador de potencial) .
El punto D indica una le muy pequeña pero no de cero.
Ill.3.2. Curvas características de base o de entrada
lE'
(¡¡A)
80
60
4Of--- -----.L--J
20
o 0.62 0.65 0.7 V" (V)
Figura 111.18. Caracterfstica de entrada para E·C.
Para tener una idea de la resistencia a c-d de entrada, considérense las curvas de la figura III.1B
obtenidas de la misma forma que las del circuito de B-C y el punto VEB =0.65 V e lB =40 ¡.LA, en
donde la resistencia a c-d de entrada es 0.65/ 40 ¡.LA = 16.25 kn, que es mucho mayor que la
encontrada en el circuito de base común, aun en el caso Qe que dicha resistencia a c-d es poco útil,
ya que varía mucho con el punto de funcionamiento estático. Supóngase ahora que la tensión del
colector no será menor que 1.5 V, por lo que el segmento rectilíneo corta el eje VEB en 0.62 V, con
una pendiente de 40 ¡.LA/ 0.03 V = 1.33 nm, que corresponde a una resistencia dinámica de 750 n .
h.= 750n
B c>o--",~-~J. 062V
o-
___l ·
E -
Figura 111.19. Aproximación de la caracterfstica de entrada E-e.
De la figura I1I.19 se observa que para VBE =0.62 V Yun voltaje V Ee =1.5 V, la lB =6 ¡.LA, Yque
para V Ec =OV, la lB =70 ¡.LA; esto quiere decir que si el diodo de colector no está polarizado
inversamente en forma adecuada, la región vacía del colector será pequeña, es decir, se extenderá
un poco más por la región de base. Esto hará que disminuya la anchura de la base, haciendo que se
reduzca la recombinación en la región de la base, de donde más portadores son recogidos por la
unión del colector, y la del transistor disminuye (efecto Early).
p= factor de amplificación d¿ corriente: P=le/ lB'
En los manuales de transistores el factor de amplificación de corriente no está dado en función
de la p, sino en los parámetros híbridos:
hfe = le/ lB
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