Página 117 - Coordinación de Servicios de Información
Versión de HTML Básico
Elee/rónica 11
III.3.5.6. Factor de estabilidad
(SIc)
El factor de estabilidad es una medida de la
sensibilidad
de la corriente de colector
le
respecto de
los cambios en la corriente de fuga
leBo
(corriente del diodo base-colector de salida) o
leo,
el cual
depende de la resistencia del circuito externo y de
13:
Mientras más bajo sea el valor de este factor el circuito será más estable, pues el valor permisible
de
SIc
depende tanto del material del transistor como de los requerimientos de la aplicación. Los
transistores de silicio tienen menor corriente de fuga que los de germanio y toleran una
SIc
mucho
mayor.
La
leo
típica para el silicio es 0.01 ¡LA. Para
SIc
=
25 Ymanteniendo inalterado el circuito de
polarización
le
cambia en 0.25 ¡LA, para el circuito con transistor de silicio y en 125 ¡LA en uno de
germanio.
La
estabilización
está basada en el principio de la
retroalimentación negativa
en el que
V BE = V
R
-
VE
(figura
II1.34a).
Si
VE
aumenta porque se incrementa
h,
el
VBE
baja, reduciéndose
lB.
De aquí que la conducción
del transistor disminuya haciendo que
VEe
aumente e
le
decrezca.
Por el contrario, si
VE
disminuye porque
h
decrece, aumenta
lB
al igual que
V BE
y se eleva la
conducción del dispositivo. En consecuencia, aumenta
V
BE ,
con lo cual se reduce
V Ee .
Lo anterior es porque
h :;
le.
Se conoce que todos los parámetros para
señales débiles
(señales de excitación menores que 5 mV,
que no necesariamente deben ser del valor anterior, sino que basta con que
no
haya distorsión en la
señal de salida) son función de la temperatura; sin embargo, los
efectos de la temperatura
son los
causados por las variaciones de
leo, VBE
Y
a.
leo:
La
corriente total de pérdida o de fuga de colector
leo
se debe a la ruptura de enlaces
covalentes por la energía calorífica y al efecto de pérdida óhmica causada por la recombinación
huecos-electrones que tiene lugar en la superficie del cristal.
Pérdida óhmica:
ÁVBe
reo
=
-1-
(despreciable)
Áeo
VBE:
Tanto en los transistores de germanio como en los de silicio, si
VBe
es constante y el emisor
se alimenta con una
h
constante, la disminución en
V
BE
sería de 1.5 a 3 mVlOe.
El signo menos indica que
V
BE
disminuye si la temperatura
T
aumenta y que si esto sucede,
tanto
h
como
le
aumentan, desplazándose el pdnto
Q
sobre la recta de carga.
116
