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Dispositivos amplificadores
Ejemplo
III.l7
Analicemos el circuito de la figura I11.35a, cuyos valores son:
Vee
=
30 V, Re
=
3.9
ka,
RE
=
1.5
ka,
R¡
=
79
ka, R2
=
27
ka,
Vg
=
10 mv,
Rg
=
1
ka,
RL
=
3.9
ka,
~
=
100. Transistor de silicio.
Solución
Ac-d
R¡R2
79' 27
RT/.
=
RB
=
20.12 kQ
R¡
+R2 79+27
De la figura
I1I.35b
anterior:
VTI.- V BE
(7.64 - 0.7) V
lB
40.411A
RB
+
RE(1
+
p)
(20.12
+
1.5 ·101) kQ
le
=
plB
=
100 .
40.411A
=
4.04 mA
lE
=
lB
+
le
=
(0.04
+
4.04) mA
=
4.08 mA
VRc=Re le
=
3.9 kQ ' 4.04 mA
=
15.75 V
VEe= Vee- VR c - VE
=
(30-15.75 -6.12)
V
=
8.12
V
El punto de operación es:
Q(8.12
V;
4.04
mAl
Ac-a
De la figura I11.35c anterior:
RB •
v
g
20.12' 10 mV
VT/.,~
=
RB
+
Rg
20.12
+
1
9.52 mV=
RTI.
+
Rg
11
R B =
11120.12
=
0.95 kQ
,~
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