Página 144 - Coordinación de Servicios de Información
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Dispositivos amplificadores
h ib
+
RE
=
R
E
= 1 350/11 = 122.7 !l
Observe que si se quiere mayor
Av
la R
E
debe ser menor.
Por medio de las ecuaciones ya estudiadas obtenemos las rectas carga:
Rc-a =
RE
+
Rc
11
RL
= (0.122
+
1.35) k!l = 1.47 k!l
Note que
R
E
=
RE
pues
h
ib
es muy pequeña comparada con
R E
Rc_d
=
R
E
+
Rc
= (0.122
+
2.7)
kQ
= 2.82 k!l
Ahora podemos determinar
l C
Q
a partir de:
Por lo que:
VCC
lC
=
----"=----–
Q
Re_a
+
Rc-d
20V
4.66 mA
(1.47
+
2.82) k!l
VEC Q
=
V
CC -
Re-d' ICQ
= 20
V -
2.82 . 4.66 = 6.8
V
El punto de trabajo del transistor es
Q(6.8
V; 4.66 mAl.
V
CC
=
VEC Q
+
Re-a ICQ
= (6.8
+
1.47 . 4.66)
V
= 13.65
V
l
C
=
V
CC
=
13.65
V
9.28
mA
Re-a
1.47 k!l
Una vez conocida
lC
Q
se determina
Il
ib
=
26 mV/ lc
Q
=
26 mV/ 4.66 mA
=
5.57
!l.
Tal y como se dijo anteriormente, la
/¡ib
es pequeña respecto a
R E.
Tuvo que haberse calculado
primero
lC
Q
para saber el valor de
h
ib ,
por lo que se toma el valor.comercial de
RE
=
120
!l.
Al conocer
~
y
RE,
se determina R
B
por medio de:
RB = 0.1
~RE
= 0.1' 200' 120= 2.4 k!l
Por la malla izquierda de entrada de la figura 1I1.39a tenemos que:
VBB
-
VBE
Ic
=
Q
RE
+
RB/~
V BB
=
(RB/~
+
RE)lC
Q
+
V BE
=
(2.4/ 200
+
0.12)' 4.66
+
0.7
=
1.31 V
De las ecuaciones de
R¡
y
R
2
calculamos sus valores, esto es:
RBVCC
2.4 k!l' 20
R¡ =--
=
36.6 k!l (valor comercial 39 k!l).
V
BB
1.31
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