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Dispositivos amplificadores
VB, - VBE,
(7.71 - 0.7) V
18,
-
0.582 mA
RE,(l
+
~2)
+
Re (0.33· 31 + 1.8)
kQ
le,
=
~IB,
=
30' 0.582 mA
=
17.46 mA;
lE,
=
lB,
+
le,
=
18.06 mA
El punto de operación de
T
2
es: Q2(9.04 V;
18.06
mAl.
Ejemplo I1I.29
De la figura III.4S, cuyos datos son
Vee=
20
V,
~
= 50,
R¡
= 56
ka, R2
= 27
ka, RE
= 220
a,
RL = 150
a,
Rg
= 1
ka,
Vg
= 100
mV
p _ p ,
calculemos:
Vy¡" Ry¡"
lB,
Ic,
V
o,
VEC, RT/"_,,
VTI,,~,
ib, i
c,
i"
v
o,
Av, Ai,
Zinc
y
Zo.
Transistor de silicio.
Solución
Ae-d
Por el teorema de Thévenin:
y
R2 V ee
V
TI,
=
-=----"=–
R¡
+R2
RTI,
27' 20
V
---=6.5V
56+27
VTII -
VBE
(5.6 -
0.7) V
lB
=
166
¡lA
RTI,
+
R[{l
+~)
(18.2 + 0.22·51)
ka
le
=
~IB
=
50 . 166 IlA
=
8.32 mA
lE
=
lB
+
le
=
(0.166
+
8.32) mA
=
8.48 'mA
VE
=
V
o
=
REl
E
=
0.22
ka .
8.48 mA
=
1.86 V
Otra forma de obtener dicha salida es por divisor de voltaje:
R[{l
+
~)(VTI,
-
V
BE)
0.22' 51(5.6 - 0.7)
~=~=
l~V
RE(l
+~)
+
R
TI ,
0.22 . 51
+
18.2
V eE
=
Vee- VE
=
(20 -1.86) V
=
18.1 V
A
e-a
Si
Vg
= 100
mV
p - p ,
Rg
= 1 ka
y
RL = 150 a,
la impedancia de entrada del transistor es:
155
