-v
T
v
1
ei
1
(mA)
o
(+V)
Diodo de unión
-v
(
4
,
~E---lIl
,
,
~
: <E------
IV
l
(mA)
1
~I~I~
,
,
11 ,
,
,
,
3
~~
-----'»)
aVf :
~
(V)
ai
b)
di
rfi
250
DI
+
E
II
1
V
i
v
21<0
ei
E,llOV
+
o,
11.1
n
~
i
V
DI
250
El
+
IV
n
D,
21<0
fi
D"
.¡,
III
11.10
10V
+
Figura 11.6. a) Caraclerlstica volt-amperlo de un diodo hipotético. b) La mostrada en (a) elegida en tramos.
e)
Circuito equivalente para e l diodo en la reglón 11. d) Circuito equivalente para el diodo en las regiones I y 111.
e) Circuito equivalente para la caracterfstica Inversa del diodo en las regiones 111 y IV.
f)
Circuito lineal
completo que describe
(b).
El circuito equivalente total del diodo se muestra en I1.6f, donde, con Ventre O
y
1 V,
1
debe ser
cero, pues el único que conduce cuando Ves positivo es
DI,
que está directamente polarizado por
El,
y
su resistencia de entrada es 25
Q .
Ll
V
2 V
rf~
LlI
~
BOmA
~25Q
Cuando Ves negativo
y
de magnitud igualo inferior a lOV, D
1
no conduce, pero D
2
síconduce,
haciendo su impedancia de entrada de 2 kQ, tramo III.
La resistencia inversa es:
rr~
10 V/ S
mA~2
kQ
Por otra parte, D3no conduce a causa de
E
2 •
Cuando V tiene un valor negativo de más de 10 V,
D3 conduce e introduce 11.1
Q
en paralelo con los 2
kil.
Esta combinación produce la impedancia
dinámica de 11
Q
que se requiere en la región de ruptura, tramo IV.
La impedancia dinámica zener es:
Ll
V
0.5 V
.
r
~-~-- ~11.1
Q
z
Ll
1
45 mA
El zener se tratará en otra sección más adelante.
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