Página 68 - Coordinación de Servicios de Información
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Diodo de unión
11.14. Trace la señal de salida cuando
v
g
=
100 V
p_p
(señal senoidal) con
t
=
2 seg.
Iko
D¡
'$
~'E
:
I
'f
+..
f
!ko D,
~
11.15. Dibuje las coordenadas
VD
contra
ID
para un diodo de silicio:
a)
Si la corriente de saturación es
Is
=
0.1 ).lA.
b)
Si la corriente de saturación es
Is
=
0.01 ).lA.
c) Trace la curva de voltaje para ambos casos.
11.16. Un diodo de germanio tiene una corriente de saturación
Is
=
10 ).lA.
Si el diodo está sometido a un voltaje
V
=
0.2 V:
a)
Calcule
ID.
b)
Determine
Rf.
e) Trace las coordenadas
VD
contra
ID'
d)
Grafique la curva del diodo.
Respuesta:a) ID
=
0.43 mA,
b) R
f
=
59.3
n.
11.17. Un diodo particular tiene
Is
=
0.2 ).lA,
V
T
=
26 mV
y
11
=
1.6. 11 es la recombinación de los
portadores de carga en la región de transición de la unión.
a)
Encuentre
ID
si el voltaje a través del diodo es de 0.4 V.
b)
Calcule la resistencia directa del diodo.
Respuesta: a) ID
=
3 mA
b) R
f
=
13.8
n.
11.18. Calcule la corriente a través del diodo si
Is
=
0.01 ).lA, el voltaje en el diodo es 0.65
y
11
=
1.5.
R=220
15
sen
628
t
mV
D
v,
IV
Respuesta: 1
=
0.17 mA.
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