Dispositivos amplificadores
111.2.1. Corrientes internas en el transistor
(III.1)
(I1I.2)
lB
=
I EB
-leo
(III.3)
le=
lEe
+
leo
(JII.4)
leo
es la corriente de saturación del diodo de colector que cruza la unión del colector
y
viene siendo
la corriente con polarización inversa
y
emisor a circuito abierto. También se le conoce como
corriente generada térmicamente, a causa de los electrones (portadores minoritarios) que pasan de
la base al colector
y
de los huecos (portadores minoritarios) que pasan del colector a la base.
leo
es una fuente de corriente constante que depende de la temperatura.
La
corriente de fuga
o
leo
para el germanio es de 10 /lA Ypara el silicio es de 0.01 /lA.
El factor de amplificación para el transistor ideal está dado por:
(JII.5)
La
(I11.4)
en (IIl.5):
(JII.6)
le
a
c-d
=
h
(leo
se
desprecia por ser muy pequeña)
(III.7)
111.2.2. Análisis de las características de colector
o
de salida
La figura I1I.2 muestra la configuración de base común, en la que los voltímetros
y
miliamperíme–
tros nos servirán para poder tomar las lecturas correspondientes de los voltajes
y
de las corrientes
a que está sometido el transistor, de aquí que polarizar quiere decir darle los voltajes
y
corrien–
tes adecuados a los dispositivos electrónicos a través de resistores para que los transistores trabajen
en forma correcta.
RE
lE
le
le
~
Región de saturación
~
i
~f
i
~
(mA)
.~
I
~
Pe
-
Reglón activa
V
B ,
V
sc
Re
,,¿
-5
5
+1."",
+
1. .;,
-4
Re
4
Reglón
~
,.
=
~I"
-3
3
de corte
VEr
Va:
al
-2
' Q
2
-1
h=lmA
o
-lO
-20
-30
-40
a:
b)
Figura 111.2. a) Circuito para determinar las curvas caracterlsticas de colector.
b)
Dichas curvas.
73
1...,64,65,66,67,68,69,70,71,72,73 75,76,77,78,79,80,81,82,83,84,...259