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CAPíTULO III
DISPOSITIVOS AMPLIFICADORES
entro de los dispositivos amplificadores están los transistores de unión bipolares (BJT), los
transistores efecto de campo (FET), el transistor semiconductor efecto de campo de óxido de
metal (MOS-FET), el transistor efecto de campo de corriente vertical (FET-V) y los transistores
efecto de campo de óxido de metal complementario (CMOS).
La palabra transistor es una palabra latina compuesta que significa transferir resistencia:
tran(sfer) + (re)sistor. Quiere decir que la amplificación se produce llevando o pasando una corriente
de un circuito de baja resistencia a otro de alta resistencia. En otras palabras, el transistor es un
dispositivo semiconductor en el estado sólido capaz de amplificar señales de corriente eléctrica y de
conmutar.
I1J.1. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJ7)
El transistor está formado por tres cristales en forma de obleas, contaminados de materiales
semiconductores, dos uniones y tres terminales externas llamadas: base, emisor y colector.
Dentro de los transistores BJT existen dos tipos que son: NPN y PNP (por lo general, silicio y
germanio); y tres configuraciones: base común, emisor común y colector común.
Símbolo de los dos transistores:
~: ~:
Transistor NPN Transistor PNP
Las tres configuraciones de los BJT y la de los FET se estudiarán en función de los parámetros
siguientes: impedancia de entrada, impedancia de salida, ganancia de voltaje y ganancia de corriente.
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