Materiales para la electrónica
U.s. ¿Cuántos niveles de energía hay en la banda de conducción en un gramo de silicio?
11.9. Explique la ley de acción de masas.
n .l0.
Un semiconductor intrínseco de silicio a temperatura ambiente tiene aproximadamente 10
10
electro–
nes /cm) y 10
10
huecos/cm
3 ,
mientras que un semiconductor tipo
p
con
NA
=
10
18
tiene aproximadamente 10\8
huecos/cm
J
y 100 electrones/cm). ¿Cómo se explica esta diferencia entre los huecos?
II.1 1.~
Dibuje la densidad de portadores como función de la posición en un trozo de silicio en forma de
cubo, cuando está siendo iluminado por una de sus caras con luz de energía de 1.]2 eVo ¿Algo cambia si la
rad iación tiene una energía de 3 eV?
n .12. ¿Qué diferencia existe en tre el material empleado para un imán y para un núcleo d e transformad or,
y
qué diferencia existe entre el material en un disco flexible d e computadora de baja densidad
y
de alta
densidad?
n .13.
¿Qué elementos pasivos podría integrar en el proceso NMOS? ¿Cuál sería la mejor manera de tener
un resislor de 10 kQ?
1I.14. Si se tienen dos haces de luz polarizados en la misma dirección e interfieren, ¿qué diferencia de fase
es necesaria para que no exista luz a la salida? ¿A dónde fue la energía de los haces incidentes?
ru s.·
¿Explique por qué el siguiente circuito, al mostrar en el osciloscopio
V
v
(en el canal
y)
y
V
H
(en el
canal
x)
muestra un ciclo parecido a la histéresis magnética? ¿En qué cond iciones las relaciones de voltaje
y
características magnéticas son válidas?
p
470 '"
L - longitud media del núcleo
A - área del núcleo
69
1...,60,61,62,63,64,65,66,67,68,69 71,72,73,74,75,76,77,78,79,80,...131