Página 67 - Coordinación de Servicios de Información

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66
Electrónica física
PROGRAMA PARA EL SIMULADOR SUPREM 111
Electrónica Flsica NMOS GATE
Oblea para e l sustrato
<100> SILICON, BORON CONCENTRATION'" lE15
THICKNESS- 3.0 XDX- l .0 DX- .005 SPACES- 150
Crecimiento de óxido de 400 A
TEMP- 1000 TIME- 40 DRY02
Depósito de nltruro de silicio por CVD
NITRIDE THICKNESS- .OB SPACES- 15
Crecimiento de óxido de campo
TEMP- 1000 TIME- 1BO WET02
Remover e l óxido hasta el silicio
OXIDEALL
NITRIDEALL
OXIDEALL
Implante de Iones para ajustar e l voltaje de encendido del transistor
Boron DOSE"'4E11 ENERGY- 50
Crecimiento de óxido de la compuerta
TEMP- ' 100 TIME- 300 DRY02 HCL%- 3
DepósIto de silicio policristalino que hace las veces de metal
POLY THICKNESS-o.5 TEMO- 600
TEMP- 1000 TIME- 30 PHOSPHORUS SOLlDSOLUBILlTY
Gráfica de la distribu ci6n de materiales, normal a la compuerta
CHEMICAL NET LP.PLOT
Sustrato silicio tipo p
Implante de Iones 8ceptores,
que forma una pellcula superficial
Óxido de compuerta (0.05 }.1m)
SiliCio policristalino (0.05 }.1m)
Óxido