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Materiales para la electró"ica
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Silicio tipo P
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SlIIclo tlpop
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Silicio tipo p
Nltruro de silicio
Óxido de silicio
Oblea de silicio cubierta con nltruro da silicio
sobre una capa delgada de óxido de silicio.
La Implantación de Iones de boro garantiza
q ue los transistores estén aislados.
Oblea atacada Qulmlcamente después
de la primera mascara. Deja protegida la zona
activa del transistor.
Silicio policristalino
Óxido de silicio
Zonap'
Estructura Que Queda después de crecer el óxido
de silicio, remover el nitruro de silicio y deposilar
el silicio policrlstalino.
Figura 11.35. Primeras secuencias en el proceso NM OS.
llama remos gemeio. Aquí se necesita una masca*
rilla adicional que dará origen a la región que
formará el transistor gemelo, y otra para la (or*
mación de la fuente y el drenaje del transistor
gemelo.
11' cercana al colector. Además, los procesos de
cambio de conductividad 11 a p (base)y P a 11
(emisor) se realizan a altas temperaturas sobre
sustratos epitaxiales. El número de mascarillas es
el mismo que en el CMOS.
El proceso bipolar es un poco más complejo y
su control es más d ifícil. La intención es tener
verticalmente tres regiones de diferente conduc*
tividad para formar un transistor IIPII , pero la
conexión será horizontal y los accesos eléctricos
están uno después de otro en la superficie. Para
disminuir la resistencia del colector (la capa más
profunda y por lo tanto con menor densidad de
impurezas) es necesario enterrar una región de
El primer paso en el desarrollo de un circuito
microelectrónico son las especi ficaciones y carac*
terísticas funcionales. Después de este paso em*
pieza el d iseño propiamente dicho. El d iseño
asistid o por compu tadora CAD es el más común,
ya que además de permitir la construcción del
circuito, hace posible simular sus características,
diseñar el proceso tecnológico y construir las
masca rillas. La importancia de la simulación en
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