Página 63 - Coordinación de Servicios de Información

Electrónica física
por lo que en su fabr icación se emplea un
polímero fotosensible que permite, con
ayuda de exposición selecti va y del ataque
químico, definir las estructuras sobre el óxi–
do de silicio para después transferirlas en
estructuras de concentración de impurezas.
• Ataque qu ímico o físico: es el proceso me–
diante el cual los materia les se remueven
selecti vamente. En un principio, el ataque
en fase líquida fue suficiente, pero delinear
estructuras de un micrómetro o menores
sólo es posible por medio del ataque quími–
co por plasmas.
• Difusión: es el proceso median te el cual se
introducen las impurezas químicas. A me–
nudo se realiza a muy altas temperaturas en
presencia de las especies contaminantes en
fase de vapor y tiene el propós ito de modi–
ficar las características eléctricas y el tipo de
portadores de carga y densidad.
• Evaporación: es la manera de depositar me–
tales. El metal se evapora y se transpo rta
hasta el silicio con el propósito de formar
líneas d e interconexión.
• Depósito d e sólidos a partir de fases gaseo–
sas (evo): ésta es la técnica para deposita r
óxidos o silicio policristalino a bajas tempe–
raturas (500°C).
• Implantación de iones: se emplea para in–
troducir impurezas a l semiconductor a
temperaturas relativamente bajas. Su prin–
cipal ventaja radica en elcontrol que se tiene
sobre la cantidad y el perfil d e las impu–
rezas.
• Epitaxia: es la técnica que permite crecer
silicio sobre silicio conserva ndo las propie–
d ades de cristalinidad. Usualmente se em–
plea para mejorar las propiedades del sus–
trato, ya que sobre esta capa se construirá el
circu ito.
Al terminar la oblea, se monta en una compu–
tadora que realiza la verificación de cada dado:
las que no pasan las pruebas eléctricas son mar–
cadas y posteriormente desechadas. Las obleas
son montadas en un bastidor de maylar y se
cortan para separar los dados. Los dados acepta–
bles se montan en un soporte que contiene las
conexiones externas (pins) y, por medio de alam-
62
bre de oro, se conecta el d ado al soporte y se sella
e identifica el circuito integrad o.
Los procesos tecnológicos más importantes
son:
• NMOS (ll-chnnnel devices): tecnología que em–
plea como d ispositivo activo el MOSFET de
canal de electrones.
• CMOS (complell1cntary MOS): tecnología don–
d e un transistor NMOS y otro PMOS traba–
jan simultáneamente como dispositivos ac–
tivos.
• Bipolar
El proceso NMOS empieza con la formación de
un óxido delgado sobre la oblea de silicio tipo p,
y sobre éste se deposita una película de nitruro
de silicio a baja temperatura. Empleando la mas–
carilla 1 se define el área activa del transistor
remov iendo el nitruro y el óxido excepto donde
se formará el transistor. El implante de boro
permitirá aislar los diferentes transistores; poste–
riormente se oxida toda la oblea. Hasta este mo–
mento el nitruro p rotege la zona que formará el
transistor; se remueve entonces el nitruro y se
crece el óxido de alta calidad que consti tu irá la
compuerta del transistor. El ajuste del vol taje de
encendido p uede rea lizarse en este momento.
El silicio policristalino se deposita sobre la
oblea por medio de evo y la mascarilla 2 se
emplea para definir las regiones que formarán
la compuerta del transistor y su conexión. Des–
pués de remover el silicio policristalino no de–
seado se procede a formar las regiones de fuen–
te y de drenaje por implante de iones, y después
se aplicará un proceso a alta temperatura que
redistribuye las impurezas y crece un óxido. La
masca rilla 3 se emplea para remover el óxido
sobre las regiones donde se conectará eléctrica–
mente el transistor. El depósito del aluminio
cubre la oblea por completo, así que la mascari–
lla 4 se emplea para definir las reg iones donde
debe removerse el metal para formar así las
pistas metálicas. Finalmente, se recubre la oblea
de nuevo con algún vidrio protector y la mas–
carilla 5 se emplea para descubrir las regiones
metálicas donde se interconecta rán los alam–
bres externos.
El proceso CMOS se emplea para formar d os
transistores adyacentes, un NMOS y u n PMOS que