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Electrónica 1I
De disparo:
Diac Diodo a c-a. Elemento simétrico que no posee polaridad.
sus Conmutador o interruptor unilateral de silicio.
SBS
Conmutador bilateral de silicio.
TUP
Transistor uniunión programable.
UJT
Transistor de una sola unión.
IV.1. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)
El alumno recordará que el diodo está formado por dos capas
y
una unión. El transistor tiene tres
capas
y
dos uniones. El
SCR
tiene cuatro capas, tres uniones
y
tres terminales, que son: ánodo
(A),
cátodo
(K)
y
compuerta (G) .
El
SCR
está formado por dos transistores, uno
PNP
y
el otro
NPN.
A
A
A
A
A
A
PI
PI
PI
~
TI
=w,
1
81
DEI
DEI
"
P,
P,
1,
N,
N,
PNP
P,
N,
T,
N,
~I
N,
N,
lel
le,
G
¡,
~
~
DCl
De,
l'
DCn
¡,
P,
NPN
P,
P,
P,
G
jG
P,
G
T,
P,
¡,
G
T,
N,
N,
~
~
DEl
DEl
1.,
N,
1,
N,
N,
K
K
K
K
K
K
a)
b)
e)
d)
Figura IV.1. a) Srmbolo. b) Estructura.
e)
Equivalencia con transistores.
d)
Analogra con diodos del SCR.
IV.1.1.
Funcionamiento del
seR
Suponiendo que la región
PI
está a un potencial eléctrico más positivo que N-z, entonces
PI
y
N
2
emiten portadores positivos (huecos)
y
negativos (electrones) respectivamente hacia las regiones
NI
y
P
2 .
Al difundirse en las bases de los transistores, estos portadores llegan a la unión
h
donde
la carga libre crea un intenso campo eléctrico.
En general se tiene para el transistor bipolar que:
Para el caso de las figuras IV.la
y
b
se observa:
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