a)
v"
v"
Electró"¡ca 11
v"
/"
(mA)
151
I
I
_________
~
______ I
, ------7----
--152
o
b)
Figura IV.1 2. Sfmbolo y curva
caracterrstlca
del diodo asimétrico.
(mA)
Este elemento es capaz de entregar cerca de 200 mA en c-d (valor máximo) y conmutar en
máximo 1 vseg para el disparo, y en máximo 30 vseg para la apertura o no conducción del
dispositivo.
La
ventaja principal sobre el diac es que permite una notable simplificación de los
circuitos, puesto que es insensible al fenómeno de histérisis característico del diac.
carga
120 V -
Irise
Figura IV.1 3. Trlac disparado con un diodo asimétrico.
IV.3.3.
Interruptor de silicio unilateral
(sus)
El sus es un dispositivo electrónico integrado que tiene un
seR,
un diodo zener y un resistor. El
zener va conectado entre el ánodo y el cátodo del tiristor con el fin de controlar el voltaje de ruptura
del
seR,
con lo cual se obtiene un interruptor de bajo voltaje de disparo (entre 6 a 30 V) . En sí el sus
es un
seR
con compuerta al ánodo.
A
lA
--+:
A
P,
1,
e
G
R
lH
1,
o
o
N,
V.
_
_ -1-- L ____ __
o
o
V H
VE
V,
(V)
K
K
a)
b)
e)
Figura IV.14. a) Srmbolo.
b)
Circuito equivalente. e) Curva caracteristica
(V-I)
del sus.
IV.3.3.1. Funcionamiento del sus
Con un voltaje de menos de 6 voltios entre el ánodo y el cátodo, y en el que el ánodo es más positivo
que el cátodo, el sus estará al corte, ya que el
P¡N¡
conducirá y el
N¡P
2
estará al corte. Al incrementar
236
1...,227,228,229,230,231,232,233,234,235,236 238,239,240,241,242,243,244,245,246,247,...259