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Electrónica
[[
T
2
estarán prácticamente al mismo potencial:
VEC
SAT
=
0.3 V. Por otra parte, sabemos que para que
funcione este tipo de transistor, el diodo de emisor se polariza directamente
y
el diodo de colector
inversamente; de este modo, el colector de
T
2 ,
o sea la base de
T},
es más positivo que el pulso
eléctrico aplicado a la base de
T
2 •
Esto hace que el borne negativo del cátodo repela a los electrones
de la región del emisor de
T
2
(N
2
l
hacia la base del mismo transistor,
y
que estas mismas cargas
eléctricas negativas lleguen a la región
N}
del
T},
cruzando la unión
h
hasta llegar a la terminal del
ánodo. De aquí que la placa positiva de la fuente de alimentación del ánodo repela los huecos de
la región p} hacia la región
N}.
Por ello, los electrones de
N}
cruzan la unión
h
para llegar a la
terminal del ánodo, produciendo así la conducción del
SCR,
que viene siendo la recta 2 de la figu–
ra IV.2,
y
la no conducción directa del
SCR,
que es la curva 1. La curva 3 muestra la corriente de fuga
del
seR
y
la 4 es la corriente inversa de polarización.
IV.1.2.
Curva carncterística de
UI1 seR
Los fabricantes de los dispositivos electrónicos por lo general proporcionan las curvas caracterís–
ticas así como los principales parámetros de los
seR.
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V
FDM
V
rr
V
H
V
RWM
V
RSM
IG
V
GD
V
Gr
(1,)
V RSM
V
rr }
Figura IV.2. Características del SCR.
Valor medio instantáneo de la corriente directa.
Corriente mínima de mantenimiento o de conducción.
Corriente inversa .
(V,)
Vd
Voltaje directo o instantáneo o de retorno por encima del cual se dispara el
seR
por
disparo directo.
Voltaje directo de pico en bloqueo.
Voltaje directo de conducción.
Voltaje de mantenimiento.
Voltaje inverso máximo de servicio.
Voltaje accidental máximo.
Corriente directa de compuerta.
•
Voltaje máximo de compuerta sin provocar el disparo (0.3 V).
Voltaje de disparo de compuerta (en los dispositivos de uso común es aproximadamente de
1 a 3 voltios).
