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Dispositivos de cuatro capas
fluyen desde
Al
hasta la terminal de
A 2.
Si el triac está en conducción, el valor de la corriente entre
los ánodos es determinado por el voltaje al que están sometidos los ánodos y por la resistencia de
carga. En este caso la caída de potencial a través del triac es pequeña, al igual que su impedancia
(estado de conducción).
Caso contrario es cuando el ánodo
Al
es más positivo que el
Av
el pulso que se aplica a la
compuerta es de un valor negativo; entonces se llega al voltaje de ruptura
-V 2
o
-VI
a causa de la
corriente de la compuerta.
La
sección de conmutación que trabaja es la
NPNP,
con influjo de corriente
desde
A 2
hasta
Al.
-
IV.2.1.1. Formas de disparar un triac
carga
Figura IV.5. Circuito simple para conmutar un trlae.
Un elemento de disparo es simulado por el interruptor
l.
Cuando el interruptor está cerrado y
el semiciclo de la línea de 120 V es positivo, el punto
A
será más positivo que B; entonces tanto
A
como la compuerta estarán a un potencial positivo conduciendo el triac. Durante el siguiente
semiciclo negativo, tanto
A
como la compuerta están a un potencial negativo, disparándose de nuevo
el dispositivo. De esta forma un elemento pequeño puede ser usado como un conmutador de alta
corriente en un circuito de coa.
A;----{==~~~g!a==r_--~lr--------"l
R
120
v '"
00
2
B~------------------------~
A,
trlac
A,
Figura IV.7. Circuito de potencia completa y media.
Cuando el interruptor
l
está en cero, el dispositivo no se dispara (no conduce).
Cuando el interruptor
l
está en
1,
la operación del circuito es la misma que la descrita en el
circuito anterior.
Cuando el interruptor
l
está en
2,
el diodo permite el semiciclo positivo y queda
A
más positivo
que
B;
y cuando se produce el semiciclo negativo, el diodo se bloquea y no permite el paso de
corriente a la compuerta.Con esto se efectúa la no conducción del triac (potencia media del elemento
por operar solamente un semiciclo).
IV.3. DISPOSITIVOS DE DISPARO
Los pulsos de disparo para el
SCR
y el triac pueden provenir de un elemento semiconductor pequeño
de bajo costo y baja potencia.
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