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Dispositivos de cuatro capas
En la figura IV.3 se puede observar que, al aplicarle una señal eléctrica a la compuerta del
seR,
se modifica el voltaje de disparo, ycuando
le
=
O
mA el
seR
no conduce, hasta que se alcance el voltaje
de disparo entre el ánodo y el cátodo del elemento. Por otra parte, a medida que aumenta la
le
disminuye el valor del voltaje de disparo del tiristor y, en el límite, el tiristor se comporta como un
diodo; esto es para una
le
suficientemente elevada. El menor voltaje del ánodo provoca la conducción
del dispositivo.
o
Figura IV.3. Voltaje de retorno
Vd
en función de la corriente de compuerta.
En la figura IV.3 se observa que, aunque la
le
Ylos voltajes del ánodo pueden variar, la corriente
del ánodo
lA
se determina por el voltaje de alimentación y por la resistencia de carga.
Para evitar los posibles disparos de conducción esporádicos del tiristor, se aconseja colocar un
resistor en paralelo entre la compuerta y el cátodo, ya que la
p
del transistor
NPN
es mucho mayor
que la
p
del
PNP.
Una vez que se haya disparado el dispositivo por un pulso eléctrico aplicado en la compuerta
y se desee anular su conducción, es necesario interrumpir la corriente del ánodo
(lA),
para que ésta
decaiga por debajo de la corriente de mantenimiento
(lH)
o aplicar un pulso eléctrico negativo en la
compuerta.
Para verificar si los
seR
están en buen estado se pueden usar los siguientes dos tipos de prueba.
IV.1.3.
Pmeba rápida
o
estática a
1/11 SCR
Las puntas de prueba del ohmímetro se colocan entre la cOQlPuerta y el cátodo, el cual marcará
una resistencia de cientos de ohmios si se trata de un ohmímetro analógico; si se usa uno digital,
marcará alrededor de 700 u 800 ohmios; si las puntas de prueba se invierten, debe indicar infinito.
Las otras pruebas entre ánodo y cátodo, y ánodo y compuerta, deben mostrar infinito, así como
señalar que el dispositivo no está dañado.
IV.1.4.
Prueba dinámica a
UI1
SCR
L·25W
R
S.6kn
120 V '"
t------1
SCR
Figura IV.4. Prueba dinámica del scR.
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