EG&G
VACrEC, VrS3028
Celda solar
V
oc
=
0.57 V @100
mW/cm~2
lse
=
86
mA
@100
mW/cm~2
Área
=
392
mm 2
Estrrtctllras electrónicas básicas
EG&G VACTEC, VTP100
V
8R
=30V
lse
=
70
~A
lo= 30 nA
C,=50pF@3V
Área
=
7.45 mm
2
Fotodiodo
Responsitividad
=
0.05
A
W~1
cm
2 @940
nm
R SH
=
0.25 CO:
a)
Señale las diferencias entre una celda solar y un fotodiodo.
b)
Para la celda solar, indique la carga en la cual se obtendría la máxima potencia. Suponga una curva
corriente
versus
voltaje de forma parabólica.
c)
Explique qué parámetros determinan la rapidez de respuesta de un fotodiodo.
d)
Para el fotodiodo, diseñe un circuito eléctrico que permita detectar un tren de pulsos en un osciloscopio
con un
Mn
de resistencia de entrada y una señal óptica de
100
~W
de luz verde y
50%
Outy CycJe señal
cuadrada con un periodo de
1
~s.
e)
¿Qué le pasará a la curva corriente versus vol taje de un diodo normal, si se aumenta la temperatura? Si se
supone válido el modelo de Schocklcy, demuestre que al aumenta r 5°C se duplica la corriente en inversa.
Sección
VII
1II.7" Estudio de la estructura MOS.
Con los siguientes ma teriales se construye un sistema MOS ideal.
Metal
Silicio tipo
11
qx
=
4.15 eV
qql=4.15eV
Óxido
Eg
-
8 eV
SCllliC011ductor
Silicio tipo
P
qx =
4.15
eV
qql
=
5.0 eV
Eg
==
1.12 eV
Suponga que V
R
y
VOl
se miden respecto al metal y que en el equilibrio
VOl
==
0.4 V
a)
Construya el d iagrama de energía potencial electrostática en el equilibrio.
b)
Explique cómo alcanzaría la condición de fuerte inversión de población.
111.8. Dibuje el diagrama del campo eléctrico para la siguiente distribución de carga eléctrica.
'''.
N
N,
O
"
- N.
i--
113
1...,104,105,106,107,108,109,110,111,112,113 115,116,117,118,119,120,121,122,123,124,...131