Electrónica física
Verticales
Magnitud energética esencial en el estudio de los semiconductores.Entre otras cosas, permite determinar
no
y
po.
2. Corriente que se obtiene sólo en los semiconductores cuando existe un gradiente en su concentración
de portadores.
3. Característica distintiva de las uniones p-n y MOS, dQ/d
V.
4. Nombre común de los dispositivos que presentan efecto rectificante.
5. Nombre del efecto que se tiene cuando la relación entre corriente y voltaje es muy asimétrica.
t-
~.
Nombre genérico de los semiconductores en los que el nivel de Fermi está dentro de la banda prohibida.
7. Portadores que existen en menor cantidad en un semiconductor en equilibrio.
8. Siglas de los dispositivos más comunes que controlan las propiedades eléctricas del semiconductor
a través del efecto del campo eléctrico E.
9. Porlador de carga que se mueve en la banda de valencia.
10. Material magnético con inducción magnética remanente muy elevada.
Sección V
111.5. Relacione las dos columnas.
1.
Unión
p-n
real.
)(
)(
ilE
f
=
O
2.
MOS.
)( )(
19..
>
!Psc(p)
3.
Unión MS rectifican te.
)(
)(
nl t
4.
Unión MS óhmica.
)(
)(
X
5.
Equilibrio.
)(
)(
n
=
Nc explEr -
E,lkT]
6.
Metal.
)( )(
c=ct~IIN)
7.
Semiconductor.
)(
)(
/. =
q(D" "", / L.
+
D,
p~
/ Lp)
8.
Unión
p-n
ideal.
)(
)(
IV.
9.
RecombinaciÓn.
)(
)(
/0"
qcrv,N,I1¡W
2
)(
)(
!P.,
>
!JIsc
(n)
)(
)(
'98"
)(
)(
V.
)(
)(
!p",
< 'Psc
(n)
)(
)(
Inversión de población
)(
)(
IV,
)(
)(
!JI... <!JIsc
(p)
Sección
VI
1II.6! Estudio de la unión
p-n.
Una unión
p-n
puede ser empleada para detectar luz. Considere los siguientes dos dispositivos:
112
1...,103,104,105,106,107,108,109,110,111,112 114,115,116,117,118,119,120,121,122,123,...131