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Estructuras elecfr611icas básicos
tipo 11 desde el electrodo de fuente hasta el elec–
trodo de drenaje. Alejándose de la superficie con
el aislante el diagrama de energía se parece más
y más al caso anterior.
trato está en directa y la unión sustrato-drenaje
está en inversa, así que la corriente de drenaje es
igual a la corriente de saturación de un diodo en
inversa.
Cuando la compuerta está en condición de
banda plana y el drenaje se polariza con un vol–
taje positivo respecto a la fuente, entonces se
tienen dos uniones p-n: la unión de fuente-sus-
El diagrama de energía potencial electrostáti–
ca que se presenta en la siguiente figura es para
el caso en que Ve es mayor que V T y VDes mayor
que cero.
El semiconductor bajo la compuerta ¡,- parece tIpO 11 debido a la fuerte ! : I I InversiÓn de la población q -=- -=- xq:-f-F4--.,
- , -'--
7' VD ,
Desaparece la Inversión
l - .. de la población
por la polarización
de drenaje.
Figura 111.41. Diagrama de energla potencial electrostática para la superficie del semiconductor
en un transistor MOSFET, cuando Ve es mayor que Vr Y VD es positivo.
El semiconductor que está frente a la com–
puerta es diferente del diagrama clásico del ca-
pacitor MOS, ya que existe una corriente circulan–
do entre el drenaje y la fuente.
Ee
.... _ ______ E
Fi
E,
E,
.____---fe
.... ------ -Er;
ff--':'-.--- E" ./"+____ E,
VD
Figura 111.42. Diagrama de energla en el semiconductor situado frente a la compuerta;
fuerte inverSión de la población en equilibrio y fuera de equilibrio.
En la construcción del diagrama anterior se
hacen las siguientes suposiciones:
El seudonivel de Fermi de los mayoritarios no
varía del volumen a la interfaz con el óxido.
El seudonivel de Fermi de los minoritarios
está separado del seudonivel de Fermi de los
mayoritarios por el voltaje aplicado VD'
ECl/nciolles de transporte
Las ecuaciones de transporte de un MOSFET se
pueden obtener haciendo algunas simplificacio–
nes adicionales:
• La estructura de la compuerta corresponde
a una estructura MOS ideal.
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