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Estructuras electrónicas básicas
[,(BASE)
=
Aq~:P,
COlhU:) [exp(q:;, )-1
COSh(t)(exp ( q:~,
)-1)]
(1ll.33)
lE
(EMISOR) '"
Aq~:
"E
(exp
(q~;B
)-1 )
(IH.34)
Para la corriente del colector se tiene que:
le
=
IC<BASE)
+
Ic(COLECTOR),
donde el primer tér–
mino representa la inyección de huecos de la
base al colector (se obtiene derivando la densi–
dad de portadores en la base en el punto
x
=
w)
y la segunda es la inyección de electrones del
colector a la base (se obtiene derivando la densi–
dad de portadores en el colector en el punto
x
=
Xe).
[, (BASE)
=
Aq~:P,
senh I(
t)
(ex p(
q:;,
)- I-COSh
(~)(
exp
(q:~,
)-1))
(111.35)
Aq
D,
H, (
[qv,") )
Ie(COLECfOR)=- --L-,-
exp
kT"""
-1
(111.36)
Finalmente, la corriente de base se obtiene de
la d iferencia entre la corriente del emisor y la
corriente del colector.
gen cualitativa que ayuda a tener una mejor
comprensión del dispositivo.
(111.37)
Gnnal1cia
en
corriente
Como el interés en esta sección es solamente En el análisis anterior se identificaron las contri–
presentar una introducción general, la parte res- buciones a la densidad de corriente en el transis–
tante de este capítulo tratará de la ganancia en toroA continuación, presentamos un resumen.
corriente del transistor y finalmente de una ima-
Emisor(P)
Base
(N)
Colector
(P)
•
h+ Inyectados
•
del emisor
-Inyectados de la baS9
lE
(BASE)
~.
h-Inyectados de la bas
.
/
...
lE.
(EMISOR)
----
V
'-::::
'e (BASE)
•
m ayoritarios
~
Te
(COLECTOR)
t- Inyectados
m inoritarios
del colector
Figura 111.35. En la unión E-B la corriente de huecos es muchos órdenes de magnitud mayo r que la corriente
de electrones, si se disef'ia el transistor correctamente. La corriente de electrones en la unión B-e se debe
a la corriente de saturación de la unió n en Inversa. La corriente de base debe ser tan pequef'ia
como sea posible en un buen transistor. Aqul se ha supuesto que no existe recomblnación en las zo nas
desérticas (éreas sombreadas). La unión B·E esta en directa y la unión B-e esta en Inversa.
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