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Electrónica física
_,¡,_ - - - - - - -
En
MOS con semiconductor tipo 11
en acumulación,
q
\ji
<:
O
y
por
lo tanto
\ji
> O.
f,
MOS con semiconductor tipo
p
en acumulaclOn, /f
\ji
>
O
Y
por
lo tanto ...
<:
O.
EFó
f,
f,
Figura 111.24. Representacl6n graflca de la condlcl6n de acumulación de portadores.
2)
La
condición de banda plana
es aquella en la
que no existe campo eléctrico interno; el voltaje
'--------fc
f----------
f,
- --- - - - - - - - - ---- EFó
f----------f,
aplicado y las otras condiciones son tales que
",, =0.
1----------
fe
---------------- EFó
f----------
f,
1--________
f,
La condición de banda plana en un capacltor M06
presenta las bandas de energfa sin cambios.
No existe efecto de campo.
Figura 111.25. Representacl6n grafica de la condición de banda plana.
3) La condición de formación de
ZOlla desértica
se consigue cuando el campo eléctrico interno
producido por el voltaje aplicado y las otras
condiciones disminuyen la conductividad del
semiconductor a niveles cercanos a la del semi–
conductor intrínseco,
'V'.
es mayor que Opero me–
nor que
'V'B
para un semiconductor tipo
p,
y
'V.
es
menor que Opero mayor que
- 'IIB
para un semi–
conductor tipo
11.
4) La condición de
inversión
de la población se
tiene cuando el campo eléctrico interno modifica
la población de portadores de carga de tal mane–
ra que existen más portadores minoritarios que
la densidad de portadores intrínsecos en la su–
perficie, esto se consigue cuando
'V.
es igual a
92
'IIB
en un semiconductor tipo
p
y
'V'.
es igual a
- 'V'B
en un semiconductor tipo
n
(figura 111.26)
5)
La
condición de
fuerte nivel de inversión
se
consigue cuando el campo eléctrico interno es tal
que la densidad de portadores minoritarios es
mayor o igual que la densidad de portadores
mayoritarios. Ésta es la condición necesaria para
el inicio de la conducción en un transistor
MOSFET.
Al voltaje necesario para tener esta condición se
le llama de encendido V
T
(tIlfesllOld).
Se
consigue
cuando
'V'.
es mayor o igual que
2'11s
en un semi–
conductor tipo
p
y
'V.
menor o igual que
- 2'Vs
en
un semiconductor tipo
11.
En las definiciones anteriores se empleó la
constante
'V6
para identificar el estado de carga
