Página 91 - Coordinación de Servicios de Información

90
Elecfróllicn física
• PlJI" (Programable-Unijunction-Transistor).
Más versátil que el Uff, pero estructural–
mente s imilar al SCR, sólo cambiando la co–
nexión de compuerta.
• sus (Silicon-Unilateral-Switch). Función simi–
lar al PUT, pero estructuralmente diferente.
• SBS (Silicon-Bilateral-Switch). Corresponde a
dos sus conectados y funciona como un TRlAC.
• MIS (Metal-Insulated-Semiconductor). Si–
glas generales de todos los dispositivos que
emplean aislantes. MOS es un caso particular
donde el aislante es un óxido. En general,
las famil ias unipolares en Europa se llama n
de efecto de campo y poco a poco ha ido
predominando ese nombre.
• JFET Ounction Field Effect Transistor). Bási–
camente consiste en una resistencia contro–
lada por voltaje y equivale a controlar la
cantidad de portadores por medio de una
zona desértica.
• MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect
Transistor). Básicamente es igual al ante–
rior, sólo que ahora la zona desértica se
forma con una unión metal-semiconductor.
En el caso anterior es por la un ión P - Il.
• MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field–
Effect-Transistor). Hay quien le llama erró–
neamente IGFET (Insulated-Gate Field Effect
Transistor) O MOST (Metal-Oxide-Semicon–
ductor Transis tor). El principio físico es la
variación de la cantidad de portadores su–
perficiales por el efecto del campo eléctrico.
Hoy por hoyes el dispositivo más impor–
tante en V1SL
• N-Moses un MosFET de canal tipo 11. Se refiere
al tipo de portadores que forman el canal
para conectar la conductividad entre S
(Source) y O (Drain). El sustrato es tipo p.
• poMOS es un MOSFET de canal tipo P y el sus–
trato es tipo H .
• C-MOS (MOS complementario). Es una tecno–
logía en la que d os transistores, uno de
canal n y otro de canal p, se acoplan en un
dispositivo.
• t-IMOS (High-perfomance-Mos). Es un tran–
sistor en el que, por medio d e la tecnología,
se logra controlar el voltaje de encendido,
impurificando desigualmente el sustra to.
• DMOS (Double-difussed-Mos). Por medio d e
la tecnología se controla la longitud del
canal; pueden alcanza rse longitudes muy
cortas.
• vMos(Vertical o V-shaped-groved-Mos). Es–
tructura geométrica del transistor que pue–
de manejar alta corriente.
• SOl (Silicon-On-Insulated). Tecnología que
reduce capacitancias parásitas.
• SOS (Silicon-On-Shapphire). Tecnología que
reduce capacitancias parásitas.
• FAMOS (Floating-gate-Avalanche-Injection–
MOS). Dispositivo empleado en la construc–
ción de memorias electrónicas ROM que se
g raban empleando un voltaje relativamente
alto, para forza r el efecto túnel de los elec–
trones sobre el óxido de silicio; se pueden
borrar con luz ul travioleta, ya que ésta per–
mite relajar la carga acumulada durante el
grabado al aumentar la conducti vidad del
óxido de silicio.
Diagrnma de energía del cnpacitor MOS
Las caracterís ticas eléctricas del grupo de dispo–
sitivos que más importancia comercial tiene en–
tre los d ispositivos electrónicos se pueden enten–
der a través del estudio d el capacitor MOS ideal.
La estructura física deldispositivo se muestra en
la figura I1L23 y consta de un metal y un semi–
conductor separados por un aisla nte. Si la dis–
tancia entre el semiconductor y el metal es del
orden de 500 A, las propiedades de la interfaz
entre el semiconductor y el metal son de muy
alta ca lidad, sin imperfecciones o impurezas, y
el semiconductor tiene una pequeña densidad
de impurezas de l orden de 10 14 a 1018 cm-3. En–
tonces, por efecto de la polarización entre el
metal y el semiconductor, se puede modificar la
conductividad cerca de la superficie del semi–
conductor con el aislante, dando lugar al lIama–
do efecto de campo. Este efecto tiene una gran
cantidad de aplicaciones en la actualidad, como
los capacitares, que cambian su capacitancia con
la polari zación y la frecuencia. Varios de estos
elementos puestos en paralelo, muy cerca uno
de otro, forman un dispositivo que transfiere