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Electr6nica física
Nivel de vaclo Nivel de v8clo
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Metal SemlconductOl' Metal SemlconductOl'
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"------- E,
___------ E,
Metal Semiconductor Metal Semiconductor
p p
x x
Figura 111.22. Diagramas de energla potencial electrostática antes y después de fo rmar la unión
entre el metal y el semiconductor Que establecen contactos 6hmicos de acuerdo con el diagrama
de resistividad contra posición. Éstos son los últimos dos casos.
En este dispositivo también existe la capaci–
tancia de unión, procesos de ruptura, efectos
de componentes parásitos, etc. La diferencia más
interesante consiste en que los transitorios en
esta estructura disminuyen en forma conside–
rable, puesto que al conducir por portadores
mayoritarios no existe difusión (caso ideal) y por
lo tanto al conmutar rápidamente de directa a
inversa no existen portadores que puedan regre–
sar y formar el transitorio. Una vez que todos los
electrones llegan al metal ya no pueden regresar
por difusión: por el abismo qq>B" únicamente pue-
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den pasar del metal al semiconductor por emi–
sión termoiónica.
Diagramas de energía en los cOlltactos ólmlicos
La figura IU.22 ilustra la formación de contactos
óhmicos al unir un metal y un semiconductor.
La diferencia de funciones trabajo desplaza elec–
trones de tal manera que destruye la barrera de
energía y los electrones o huecos pueden pasar
libremente por la unión.