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Electrónica física
E
( P
l' \ , / , ,
,
, ,
,
E
, , , )
N
\
p \ J p -Xf o '"
E,
1\ N !
TL' Xc
Figura 111.34. Diagrama de energra potencial para un transistor p-"-p e n equilibrio y polari:o:ado.
V[8 es el voltaje de la unión del emisor en directa y Vcs es el voltaje de la unión del colector e n Inversa.
(QV,, )
p(w) = Ps exp kr (111.28)
Para el colector, definido para toda x mayor
La obtención d e estas ecuaciones es bastante
fácil, como se puede observar en la segunda ecua–
ción para el emisor. Basta con aplicar la ley de
acción de masas empleando los seudoniveles
de Fermi. que Xc:
Al resolver las ecuaciones d e continuidad em–
pleando las condiciones de frontera correspon–
d ientes y usando la notación óp(O) == pg{O) - P8
para los minoritarios en x = OY de manera simi-
11(00) = /le (111.29) lar para los otros casos, se obtiene:
(
(x + Xd)
/l cCx) = "r+ 811(-X[) exp - L-,- para (lIl.30)
_ ["P(w)-"p(Olexp(-f,)] (x) ["P(Wl-"p(OleX P(f,)1 (x)
p,(xl-p,+ () exp-- () exp --
w L8 IV L8
2 senh - 2 senh -
LB LB
(lIl.31)
paraw>x>O
(
(X-Xel)
IrC<x) = /le + ÓII(xcl exp -----¡;- para (lIl.32)
Las densidades de corriente se obtienen de
manera similar a la unión p-n. La siguiente des–
cripción se puede visualizar con la ayuda de las
figuras 111.35 y 111.36. Para la corriente del emisor
se tiene: Ir = I[(BASE) + l r(EMlSOR), donde el primer
término representa la inyección de huecos del
emisor a la base (que se obtiene derivando la
densidad de portadores en la base en el punto
x = O) Yla segunda es la inyección de electrones
de la base al emiS0r (se obtiene d erivando la
densidad de portadores en el emisor en el punto
x = -xc).
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