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Estructuras electrónicas básicas
gran parte no produce inyección debido a la
recombinación en la zona desértica de la unión
base-emisor y a las corrientes de fuga superfjcia~
les. Con altos niveles de corrientes de colector, la
Esta disminuc ión
en la ganancia, se debe
a la baja eficiencia
de Inyecc ión a bajos
niveles de polarizac ión
de la unión E-a.
ln$o)
ganancia disminuye conforme aumenta la co–
rriente, debido al aumento en la recombinación
a altos niveles de inyección.
Esta disminución en la
ganancia se debe al efec to
/
de alto nivel de inyección
e n la corriente de colector.
1110<- 1
Figura 111.37. Oismlnución de la ganancia en un SJT a bajo nivel de corriente de colec to r por la corrie nte de fuga,
ya alto nivel de corriente de colector por el allo nivel de inyección.
En resumen, un análisis cualitativo de las
ecuaciones presentadas es el siguiente:
• El voltaje aplicado controla la densidad de
portadores en la frontera, a través de los
términos exp (Vn/ kD y exp (Vcs/k I) .
• Las corrientes de emisor y colector están
Po rtado res en la frontera de la
l':o na desértica de la unión
BASE-COLECTOR. Es mayor que poO
dadas por los gradientes en las densidades
d e los portadores minoritarios en las fron~
te ras de la base, esto es en x = OY x = w.
• La corriente de base es la diferencia entre las
corrientes de emisor y colector.
%"'¡v(VCI~ !(I disminuye
cuando VCI aumenta
en la inversa.¡
si la unión es polarizada en directa.
y es menor q ue p"" 51 la unión Base
es polarll':ada en inversa. --+t---l
p"" densidad de
portado res minoritarios --+
en equilibrio en la base.
%= 0
Portadores en la frontera de la
zona desértica de la unión
BASE·EMISOR. Es mayor que p...,
si la unión es polarll':ada en directa.
y es menor que p"" si la unión
es polarizada en inversa.
Figura 111.38. El efecto transisto r se obtiene al modificar la concentración de portadores m inoritarios en la base.
Los puntos representativos de polarización,
como los representados en las curvas de emisor
común d e un BIT, modifican la concentración de
portadores en la base. En la figura I1I.39 se repre–
sentan la saturación, activa directa y el corte o
apagado.
MOSFET
El transistor de efecto de campo controlado por
un capacita r MOS, MOSFET (Metnl~Oxide~Se",icol1~
dl/clor Field~Effect~ Trnllsistor) es el transistor de
mayor importancia en la fabricación de circuitos
integrados y recientemente en ap licaciones de
potencia. Este d ispositivo presenta conducción
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