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Electr6nica fís ica
Saturación
(ambas uniones en directa)
x=o
Activa directa
(V[8 en directa
y VeBen inversa)
~ Apagado
(ambas uniones en Inversa)
Figura 111.39. Cambio en la concentración
de portadores minoritarios en la base
por las diferentes condiciones de polarización.
por portadores de un solo tipo, por lo que los
dispositivos son llamados unipolares. La cons–
trucción física de este transistor se muestra en la
figura lIlAO. Un capacitar MOS forma la com–
puerta G y en el semiconductor se difunden dos
y
L ,
zonas de conductividad diferentes a la del sus–
trato a cada lado del capacitar MOS. Una se llama
fuente 5 y la otra se llama drenaje D. Usualmen–
te, el sustrato y la fuente se conectan eléctrica–
mente, lo que forma un disposi tivo de tres ter–
minales que no es simétrico en relación con el
intercambio de los electrodos de fuente y de
drenaje. Si el semiconductor es de tipo p y no
existe condición de inversión de la población en
la compuerta cuando no está polarizado, se co–
noce como MOSFET de canal n normalmente apa–
gado, ya que las zonas tipo n (5 y D) están
aisladas eléctricamente por las dos zonas desér–
ticas que se forman y no existe conducción entre
5 y D. Cuando se polariza la compuerta hasta
conseguir un fuerte nivel de inversión, se forma
un canal de electrones que pone en contacto la
fuente y el drenaje, permitiendo el paso de la co–
rriente eléctrica.
"
p
,
F¡gura lilAO. Diagrama flsico de un MOSFET de canal.!.
Para entender los diagramas de energía poten–
cial electrostática contra posición es necesario
hacer algunos comentarios, ya que se obtendrían
diagramas en cuatro dimensiones: x, y, z Y E.
Como esto es imposible de presentar en una
gráfica y además poco útil, intentaremos visua–
lizar las diferentes condiciones por separado.
Si en el transistor se polariza la compuerta de
tal manera que se obtiene la condición de banda
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plana y no existe voltaje en el drenaje, entonces
el diagrama de energía potencial es idéntico a un
transistor BJT en equilibrio, donde el emisor hace
las bases de la fuente, el colector es el drenaje y
la base es el sustra to.
Cuando el voltaje del drenaje es cero, la com–
puerta se polariza hasta llegar a una fuerte inver–
sión VT • El diagrama de energía en la superficie
con el aislante es semejante a un semiconductor