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I
V,H
I
Metal
Carga posltlv.
Inducida
en al metal
~
A1arante
Semiconductor
Ion••
negativos
Condición de zona desértica
Carga positiva
Inducida
en el metal
t
Alarante
Semiconductor
lon8s
negativos
/
"'-------
Electrones
Fuerte Inversión
f,
Figura 111.29. Diagrama de
energl.
y distribución de carga en condición de fo rmación de zona desértica
(es necesario aplicar un p otencial externo negativo) y luerte Invarslón (es necesario un potencial externo
positivo. El dispositivo 8S el mismo que el de la Ilgura anterior).
~.4 ~.2
O
+--+
Acumulocl""
J
Banda plana
Electrones
lon.a negatIvos
--'r-- ""-- -- --- ---
••
2••
02 O.,
O., 0.8
1.0
\jI. IV]
4----+
~
Fuerte InverslOn
D'blllnversl6n
Zona desertica
Figura 111.30. Carga superficial
en un capacltor MOS como función
del potencial superllclalw..
95
1...,86,87,88,89,90,91,92,93,94,95 97,98,99,100,101,102,103,104,105,106,...131