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Estmcturfls electrónicas básicas
superficial. Esto es posible porque ql.¡ls es la ener–
gía entre el nivel de Fenni y el nivel de Fermi
intr[nseco. Analíticamente, con la ecuación para
elcálculo de la densidad de portadores se obtiene
la ecuación:
~, = k;ln(~: 1 (111.22)
donde Ns es la densidad de impurezas donado–
ras N o en un semiconductor tipo 11, o la densidad
de impurezas aceptadoras NA en un semicon·
ductor tipo p.
q••
••
----------------- Er¡
MQS con semiconductor tipo n
en fuerte Inversión, CN< > O
Y por lo tanto \11 <: O.
f,
I \liS I > 2 \liS 1
••
MQS con semiconductor tipo p
en fuerte Inversión, <NI <: O
y por lo tanlo \11 ,. O.
Figura 111.26 . Diagrama de energla polenclal electrostática en el semiconductor
de un MOS en condición de fuerte Inversión.
f,
f,
Nivel de vado
Metal
Carga superficial
q• • / ------ fe
fe
q• • -r---1L-J-:-~-_-_-_-_-_ ~ -_ ~~~1_~----
- f,
__--------- f,
E,
Er _______ _ • • __ __ •
f, ______
'5emiconductor Aislante
Aislante
Figura 111.27. Diagrama de energla potencial electrostática
para un capacitor MOS antes y despuéS de la uniOn.
Semiconductor
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