Estructuras electrónicas básicas
(1l1.45)
y
con una corriente de saturación:
Z
,
IO "'''''2L
¡.LnC¡(Vc -Vr)
(1l1.46)
Funcionamiento
A continuación presentamos un resumen cuali–
tativo del funcionamiento del
MOSFET,
usando
una analogía hidráulica.
---+
- - - - - --- -- --- -- -
--
La
región lineal del
MOSFET
se consigue con un
voltaje de compuerta mayor que el voltaje de
encendido
y
voltajes de drenaje pequeños. Pode–
mos imaginar dos depósitos con agua, uno fijo
-el depósito de fuente-
y
el otro móvil -el de
drenaje-. Si el voltaje de drenaje es positivo, el
depásitobajacomo la energía potencial. Los dos de–
pósitos están comunicados por un conducto que
tiene una articulación en la unión con el depósito
de fuente
y
está sostenido sobre el depósito de
drenaje con una particularidad: existe un pi–
vote que impedirá que el conducto baje aun des–
pués de que el depósito de drenaje continúe
bajando.
r_v_o>_o-,
N
1
\~---
--- - ----- -f>
Figura 111.43. Reglón lineal en un
MOSFET
e Imagen hidráulica.
En la región de saluración
el
voltaje de drenaje
ha aumentado
y
es aproximadi"mente igual al
voltaje de la compuerta menos el voltaje de en–
cendido
(V
D
=
V e - Vr).
En estas condiciones, la
imagen hidráulica muestra el depósito de drena–
je en un nivel inferior respecto al depósito de
fuente,
y
el conducto que los une ha tocado el
pivote que impide que continúe tocando el de–
pósito de drenaje (figura IlL44).
Mas allá de la saturación, el voltaje de drenaje
continúa aumentando pero no la corriente de
drenaje. En la imagen hidráulica no aumenta el
flujo de agua porque la inclinación del conduelo
es constante. La explicación eléctrica es que la
diferencia de potencial desde la fuente hasta el
final de la zona de inversión es una constante
y
es el potencial que acelera los electrones. Los
electrones que han llegado a este punto se des–
plazan por la unión en inversa, como en la zona
base colector de un
BJT
(figura 111.45).
105
1...,96,97,98,99,100,101,102,103,104,105 107,108,109,110,111,112,113,114,115,116,...131