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Electrónica 11
A¡ = (- 3.16.175)( 1.81 118 )= 136.861
, 3.16 + 3.14 1.811 + 2.26
YendB:
A¡, = 20 log 36.86 = 31.33 dB
¡" (mA)
Ne..,
,¡ ..JI ........
.. · ·i~·~~·
. .. .. . .... .
QI !l"..¡,
,¡
-O~--~---'~--7---~~~~V~,O . 6.3 IZ.6 15
: V Ec1 Véc Vcc
~Ot-----~--~8.~Z--~:~II~.6~~~1~5~v~
e:--::: .
: ~<E-- VOl p-p
: VEa : Véc Vcc c:::: .
: :~<E-v~p-p
Figura 111.56 e) Rectas de carga para TI y T 2 -
Ganancia de potencia total (A p ,)
A p , = A", . A¡, = 47·36.86 = 1732.4 = 10 log 1732.4 = 32.38 dB
Impedancia de entrada total del circuito (Z¡"')
Z¡", = Rg 11 R¡II RZ1111¡e, = 1.8 11100 1122112.26 '" 1 kQ
Impedancia de salida (Zo)
Para la impedancia de salida total del amplificador d e dos etapas, la fuente de corriente del primer
amplificador se d eja abierta, quedando entonces:
( RO) (3160)
Zo= l+~z + {¡¡b, II(RE,IIRLl= 176 +31.3 114 100=48.5Q
111.8. TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
El transistor efecto de campo (FET) es un dispositivo electrónico de una sola unión, sensible al
voltaje, que depende de la operación del control de la corriente en un campo eléctrico y consta de
tres terminales: D drenaje, G compuerta y S fuent~.
Este transistor se caracteriza por tener una impedancia de en trada del orden de Mn, y su
operación d el FET depende solamente del flujo de los portadores mayoritarios. Es simple de fabricar
y ocupa poco espacio en los circuitos integrados; también presenta menos ruido que el transistor BJT
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