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Electrónica 1l
Re
--=---1
Rc+Rg
Observe que en la expresión anterior no interviene el valor de vg , pues Z¡" tiende a oo. Lo anterior
equivale a decir que como la Z¡" es muy grande, no le llega corriente a la compuerta.
Como en la mayor parte de los casos, para el diseño de un amplificador se debe contar con un
manual de transistores, el cual le proporciona al diseñador las características típicas relativas al
funcionamiento de éstos. Aunadas tales características y las expresiones matemáticas que rigen el
desarrollo de un problema, es posible obtener los valores de los elementos que conforman un determi–
nado amplificador. Por ello, el alumno debe consultar con frecuencia los manuales de transistores.
Ejemplo I1I.46
Diseñemos un amplificador con FET semejante al circuito anterior, de modo que proporcione
una ganancia de voltaje Av = 6.8, si las características del transistor 2N5457 se presentan como
V p =-1.8 V, IDss =5 mA, I css = 200ljA, Y las condiciones del circuito son VDD = 20 V,
Q(VDS, ID) = (12.3 V; 0.7 mAl, v g = 80 mVp- p , Rg = 50 kíl
Solución
Considerando una caída de voltaje Ve = 0.2 V a través de Re, ésta será:
Re = Ve = 0.2 V 1 MQ
l css 2 . 10- 7 A
Para obtener una de las coordenadas del punto Q de operación en el segundo cuadrante,
empleamos la consideración de que el corrimiento térmico sea cero en dicho punto Q, esto es:
200
Ves = Vp + 0.63 = 1.8 V +0.63 =-1.17V
Ahora se emplea Ves = - RsID para obtener Rs:
Rs= -VcsQ 1.17V 1.67kQ=1.5kQ
IDQ 0.7mA
Utilizando la siguiente ecuación adquirimos RD :
VDD- VDS- RS1DQ
:. RD= IDQ
(20 - 12.3) V - 1.5 ' 0.7 6.65 V
RD = 0.7 mA ----¡¡y- = 9.5 kQ '" 10 kQ
•
La conductancia mutua será:
_ 21DSS . (1 - VCSQI V p)
gOl - IVIp