Electr6nica 11
vacía se incrementa causando estrechez en el canal (figuras 1I1.57b y
e).
Si el área del canal decrece,
se produce un incremento en la resistencia, de aquí que la relación del incremento de la corriente
por unidad aumente con la disminución del voltaje drenaje-fuente.
Dicho con otras palabras, el
FET
tiene una sola unión: la del contorno interno del rectángulo P
incrustado en el elemento N (figura I1I.57a).
Se observa que las terminales D y S están polarizadas directamente, pues la placa positiva de
V
DD
atrae a los electrones del elemento N, mientras que la placa negativa repele dichos electrones,
aun dado el caso de que el sentido de
ID
(corriente de drenaje) esté convencionalmente hacia abajo.
También se aprecia que la parte media superior de la figura 1I1.57a está polarizada inversamen–
te, lo cual quiere decir que la placa positiva de
V DD
atrae a los electrones y la negativa atrae a los
huecos. Así es que, al incrementar el voltaje de
V
DD,
una parte polariza directamente la unión y la
otra se polariza inversamente.
Lo anteriormente descrito se presenta con la parte achurada de las figuras 1I1.57a y
b
en el canal
del transistor, que, a medida que se incrementa el voltaje, comienza a conducir (pendiente de
conducción) y, a medida que se incrementa el voltaje de
V
DD
se polariza inversamente; el canal "se
estrangula" y no permite el paso de la corriente a través de él.
En la figura I1I.57e está representada la corriente que circula a través de dicho canal. En dicha
figura se aprecia que los
FET
no requieren voltaje de disparo, como el caso de los
8fT,
que requerían
0.2 o 0.7 V para que empezaran a conducir. Los
FET
comienzan a conducir en el momento en que se
forma un campo eléctrico entre el drenaje y la fuente.
1II.8.2.
Curvn de transferencia
y
de snlidn drenajejuente
Sea la figura I1I.58 en la que se variarán Vee y
VDS.
Observe que
Ves
polariza inversamente la unión
de la parte inferior de la figura III.57n.
Reglón de
Reglón
Voltaje
(mA)
lo
lo
saturación
1:
~
\.
de~tura
I
los,
I
I
+Voo
(mA)
r::
I :
Ro ,j,lo
D
('
r
(:
,
} ID=ID'\
~:
Reglón
Ir:
de ruptura
)
Vec
S
(V)
~
V
p
O
Ves
O
BVos s
Vos,
(mA)
81
bl
el
Figura 111.58. a) Circuito para la obtención de las curvas caracterfslicas de salida.
b)
Curva de transferencia.
e)
Caracterlstlcas de salida.
El procedimiento para la obtención de las curvas de salida es muy similar al de la configuración
de emisor común en los
8fT.
Primeramente fijamos
Ves
=
O
V o se cortocircuita la compuerta con la
fuente y luego se incrementa de dos en dos, o de cinco en cinco voltios y se toma la lectura en
ID.
Esta corriente de
ID
máxima, es decir,
IDss,
está representada por una segunda s, que indica
saturación, y la proporciona el fabricante en los manuales.
Se
tabulan los valores y se traza la primera
curva de salida. En seguida se aplica un voltaje de un voltio entre la compuerta y la fuente . Tanto
192
1...,183,184,185,186,187,188,189,190,191,192 194,195,196,197,198,199,200,201,202,203,...259