Página 194 - Coordinación de Servicios de Información
Versión de HTML Básico
Dispositivos amplificadores
en este caso como en el anterior, el canal desarrollará una región de agotamiento en el que la cantidad
de corriente ID será menor que la anterior.
Se
traza la segunda curva. Si se vuelve a incrementar
negativamente
V
GS,
la ID vuelve a disminuir y así sucesivamente hasta que no haya corriente de
drenaje, independientemente del voltaje drenaje-fuente. Este voltaje entre la compuerta G y la fuente
S de estrangulamiento en el que no hay corriente de drenaje
(ID)
o es muy pequeña -lo que indica
que el transistor está en corte-, se llama
voltaje de estrangulamiento de corte
y se representa por
V
GS
=
V
p •
Este valor también lo proporciona el fabricante deLtransistor. Lo contrario de este voltaje
es el voltaje de ruptura
BV
GSS,
el cual indica el límite del voltaje compuerta-fuente que nos da la
corriente máxima de saturación
I DSS ,
que no debemos sobrepasar, porque el transistor se daña. He
aquÍ el por qué se recomienda tener cuidado en el manejo del
FET.
Puesto que la unión está polarizada inversamente por
V
GG,
habrá una pequeña corriente de
compuerta de saturación o inversa
(IDSS),
la cual es del orden de un nanoamper (l11A) para el
transistor de silicio; tiene una conductancia dinámica de entrada de alrededor de 2 . 10--
10
o una
resistencia de entrada dinámica de 5 . 10
9 .
Recuerde que estos transistores son los que usan los
amplificadores operacionales, los cuales tienen una impedancia de entrada muy grande o infinita.
Como puede verse en la figura IlI.58b anterior la curva de transferencia está dada por:
(
VGS)2
ID
=
I DSS
1-
V
p
donde, si hacemos
V
GS
=
O,
ID
=
IDSS
(figura I11.58c) y si
ID
=
O,
V
GS
=
V
p ,
quiere decir que para cada
valor negativo de
V
GS
obtenemos un valor de
ID
hasta que la
ID
=
OY
V
GS
=
V
p •
La ecuación anterior es de segundo grado y tendrá dos raíces.
La transconductancia o conductancia mutua del
FET
está dada por:
!lID
I
ID .
g",
= -- =
-V
(Slemens)
t.VGS
DS
VDS= O
Sustituyendo la ecuación de la curva de transferencia en la ecuación anterior y derivando la
expresión nos queda:
(
VGS)
21DSS 1 -
v;;-
g",=
- V
p
donde
gmo
se obtiene a cero voltios de polarización
(VGS
=
OV). Aquélla es la máxima ganancia a
c-a y se especifica como:
2IDSS
g",o=1VT
p
La
g",
es el valor de la transconductancia y representa la máxima ganancia del transistor a c-a;
está dada por el fabricante, al igual que la transferencia directa de la admitancia o transconductancia
directa
I
y
Js
I
=
gJs .
En el
FET
la variación de la
ID
con la temperatura está determinada por dos factores:
193
