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Electrónica II
La
g",
es del orden de 100 a 18000 r¡mhos (r¡S).
Admitancia del drenaje o de salida
(gds)
Esta admitancia, cuya inversa es la resistencia, es algo semejante a la de los
BJT,
y se habla de
resistencia de salida del transistor.
La
gds
viene siendo la pendiente de las curvas características de salida del
FET
en el punto Q
deseado y, como dichas curvas son casi horizontales, el cociente anterior es muy pequeño y la
resistencia del drenaje
(rd' )
grande. El orden de éste es de decenas a centenas de H2, de aquí que en
algunas ocasiones se desprecia y no aparezca en el circuito equivalente a corriente alterna, siendo
común que en los manuales lo presenten solamente como
rd.
El factor de amplificación del
FET
está dado por:
¡-vos¡
1'=
–
Vcs
Sustituyendo las expresiones anteriores en esta última:
Ganancia de voltaje
(Av)
Como el voltaje es igual a la corriente por la resistencia y la inversa de ésta, en nuestro caso las que
se suman son las conductancias en paralelo, quedándonos:
(por estar en paralelo)
La
ecuación anterior es la ley de Ohm, en la que:
Vi,," V
g ,
y
Ro
=
l i Go
Como en muchos amplificadores,
rd
es más grande que
Ro;
rd
se desprecia por quedar en
paralelo con
Ro,
entonces:
A v
=
I
g",(R
o
11
RLll si el circuito tiene resistor R
L
de carga.
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