Dispositivos amplificadores
y no presenta voltaje de disparo con corriente de drenaje cero, lo que lo convierte en un excelente
conmutador electrónico de alta velocidad. Tiene mejor estabilidad térmica comparado con el
8rr
y
su desventaja principal es que su ancho de banda es más pequeño que el de los
8rr.
El manejo de
estos transistores debe hacerse con mucho cuidado, ya que si la persona que los usa trae puesta ropa
sintética es probable que tenga cargas eléctricas estáticas y al tocarlos con los dedos puedan causarle
un daño irreversible.
Se utiliza el término "efecto de campo" para describir este dispositivo porque el mecanismo de
control de la corriente es el efecto para incrementar la polarización inversa del campo asociado con
la región de las cargas descubiertas (iones inmóviles no neutralizados en cada lado de la unión).
111.8.1. FunciOllamíento del
FEY
Ya que existen dos tipos de
FET,
que son de canal N (electrones) y de canal P (huecos), optamos por
estudiar el
FET
de canal N. En el
FET
de canal N la flecha de la compuerta va hacia adentro y en el
de canal P es opuesta.
o
V
DO
G+;---;:::_::_::_:_~_J_L
___.,.___-_--,_
canal
__
~"
s
o
o
G~eanalN G~
eanalP
V
OD
+
canal _ __ '"
S
al
S
o
s
lo
(mA)
Corriente a través
del
canal N
'"
Reglón de estrangulamiento
del
canal
N
Pendiente causada por la
resistencia del canal
o
Vos ( )
bl
el
Figura 111.57. a) Sfmbolos.
b)
Corte transversal. e) Curva caracterfstica del FET. Los signos --- y
+++
representan los electrones y los huecos.
Para entender la operación de este dispositivo debemos considerar que las terminales de la
fuente y de la compuerta están al potencial de la tierra (figura 1I1.57a). Ahora, al aplicarle un pequeño
potencial positivo al drenaje respecto a la fuente, provocamos que fluyan los electrones desde la
fuente hacia el drenaje (la corriente fluye desde el drenaje hacia la fuente). Note que se desprecia el
flujo de corriente entre la fuente y la compuerta, de aquí que la unión del diodo formado por el canal
y la compuerta esté polarizado inversamente (figura 1I1.57b). El aumento del flujo de la corriente
desde
el
drenaje hacia la fuente depende inicialmente de un potencial drenaje-fuente
(Vos)
y de la
resistencia del material N del can"l entre éstos. Esta resistencia es una función de la contaminación
del material N, así como del ancho del canal, de la longitud y del espesor del material utilizado.
A medida que se incrementa el potencial en el drenaje-fuente
(Vos)
el diodo formado por la
unión del canal y la compuerta queda polarizado inversamente. Sin embargo, la corriente del drenaje
fluye a través de su conductor a causa del campo eléctrico formado entre el drenaje y la fuente. Pero
si se le aplica todavía más voltaje entre las terminales drenaje-fuente, la región de agotamiento o
191
1...,182,183,184,185,186,187,188,189,190,191 193,194,195,196,197,198,199,200,201,202,...259