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T i p o n
T i p o p
S u s b a n d a s d e c ondu c c i ón :
Ba nd a de c o n d u c c i ó n
^
Ba n d a de c o n d u c c i ó n
_
^ E d
-,
. ,
,
.
vacan t e
Ba n d a de v a l enc i a
Banda de valencia
T i po n
T i po p
En al figura anterior Eg= parte inferior de de la banda de conducción y Ea= nivel aceptor
(con deficiencia de electrones).
En el
t i p o " n "
el electrón extra del dopante produce un nivel donador (Ed) cerca de la
banda de conducción. Como consecuencia la barrera de energía es menor (Eg-Ed). La
conducción se lleva a cabo en la banda de conducción.
En el
t i p o " p "
los huecos (vacantes) que se encuentran en Ea (nivel aceptor) pueden
aceptar un electrón de la banda de valencia. El electrón que salta a Ea no puede conducir
carga, mientras que el hueco que se queda atrás en la banda de valencia es portador de
carga.
D i o d o s .
Es pos i b l e p r oduc i r d i s po s i t i v o s e l e c t r ó n i c o s c o n una c omb i n a c i ó n de
semiconductores extrínsecos. Como ejemplos de estos son los
d i o d o s em i s o r e s de luz
(LED) que se utilizan para relojes de pared, calculadoras, etc. Los LED son dispositivos de
u n i ó n p-n
que generalmente dan el espectro visible (a menudo rojo). El voltaje aplicado al
diodo en la dirección de polarización directa hace que la unión se recombinen huecos y
electrones y emitan fotones. Los GaAs, GaP, GaAsP son materiales típicos para los LED. El
movimiento combinado de electrones hacia la izquierda y huecos hacia la derecha (figura
siguiente) da como resultado el paso de corríente, a este estado se le llama
p o l a r i z a c i ó n
directa.
Cuando los electrones del lado
n
se mueven hacia la derecha y los huecos del lado
p
hacia la izquierda se llama
p o l a r i z a c i ó n i n v e r s a .
La magnitud de la polahzacíón inversa
es mucho menor que la polarización directa, por lo que la
u n i ó n n-p
permite el paso de
bastante corriente solo en una dirección.
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