Electrónicn física
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11 e lile 11
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1 11 11 e 11
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T~O,
E=O
Existen n. electrones libres de mover
y p enlaces covalenles Incompletos
por donde se pueden mover los electrones
de la banda de valencia, huecos.
Figura 11. 19. Modelo de silicio a temperatura diferente de cero y sin campo aplicado.
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11 e-+t--o- __1e-t+--
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'tt--
11 e
-ft------..
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=@ ,@-¡@=@=
,- -1 ',jl-' 11 e-t+--
, @=@=@=@=
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+---E
El campo eléctrico produce
el movimiento de los electrones
libres en la banda de conducción
y de los electrones de los enlac es
covalentes en la banda
de valencia
Figura 11.20. Modelo de silicio a temperatura diferente de c ero
y
con campo aplicado E.
Semiconductores extrínsecos
La introducción de impurezas en
el
semicon–
ductor tiene una enorme importancia en electró–
nica. Aquí la palabra impureza tiene el sentido
de á tomos d iferentes al que forma la red del
semiconductor; por simplicidad supondremos
que todas las impurezas son de un solo tipo de
átomo. Su importancia en la electrónica radica
en que gracias a éstas podemos obtener las gran-
Dellsidnd de ntomos de illlpl/rezns
ell
e/silicio,
NB
Esta densidad de
impurezas es tan pequena
que no existe la tecnología
para su control, así que se
acepta cualquier tipo de
impureza.
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En este intervalo se encuentran Jos
semiconductores de la industria
electrónica, siempre
y
cuando la
cantidad de impurezas esté bajo
control. Depend iendo del dispositivo,
es necesari o obtener cierta
concentración en particular.
Estas densidades de
impurezas son tan grandes
que se trabajan como si
fueran aleaciones
y
no se
emplean como material
activo.
1...,39,40,41,42,43,44,45,46,47,48 50,51,52,53,54,55,56,57,58,59,...131