Página 29 - Coordinación de Servicios de Información

1949
1950
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1954
1956
1956
1956
1957
1958
1958
William Shockley
Hall y Duncap
W.sbocklq
H. Welker
Teal, sparks
y Buelhor
W.C. Pfann
W.shockley
SIEMENS
Chapin, Fuller
y Pearson
J.L. M olI y M.
Tanenbaum
M. Tanenbaum
y Thomas
Premio Nobel
SIEMENS
sah, Noyce, Shockley
yMolI
Esaki
ElectrÓllica física
Teoría del transistor bipolar de unión (BJT).
Obtención de uniones p-II por aleación.
Teoría básica de la unión p-II (f versus V).
Propone que los materiales compuestos con los grupos III
y V de la tabla periódica sean candidatos
a semiconductores.
Crecimiento de buenos semiconductores.
Purificación de semiconductores por el principio
de refinación por zonas.
Análisis de la resistencia controlada por vol taje ¡FET.
Método industrial para producir cristales.
Desarrollo de la primera celda solar.
Construcción y modelo del primer tirislor.
Difusión en estado sólido.
shockley, Bardeen, Brattain, por su trabajo con transistores.
Producción en serie de transistores de germanio.
Teoría de la unión P-II (l versus V).
Diodo Esaki (túnel).
1959 Moll, Pfann y Carnett Proponen la estructura MOS como un capacitor controlado
1960
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1962
1963
1964
1965
1966
1967
1970
1970-1979
28
Kilby (Texas Ins) y
Noyce (Fairchild)
Kahng y Atalla
Theverer y Kleihack
Hall y Cenner
Gunn
Premio Nobel
Merd
Lehrer y Hooper
Boylesmith
por vol taje.
Invención de los circuitos integrados.
Fabricación de un transistor MOSFET.
Dispositivos por técnicas epitaxiales.
Láser de semiconductores que opera a muy bajas
temperaturas.
Oscilador de microondas.
Townes, Basov, Prokhorov, por el trabajo con máser y láser.
Antes de esta fecha los CI están dominados por bipolares,
a partir de este momento salen del laboratorio los CI MOS.
Teoría de MESFET.
Fabricación de MESFET de CaAs.
Fabricación de los CCD (disposi tivos de acoplamiento de
carga).
En esta década empieza el gra n avance de los sistemas MOS;
surgen los microprocesadores y las DRAM (dynamic random
access memories).